[發明專利]一種氧化鎵日盲光電探測器及其制備方法有效
| 申請號： | 202010571215.4 | 申請日： | 2020-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN111710731B | 公開（公告）日： | 2022-05-17 |
| 發明（設計）人： | 趙曉龍;譚鵬舉;徐光偉;侯小虎;龍世兵 | 申請（專利權）人： | 中國科學技術大學 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/108;H01L31/111;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化 鎵日盲 光電 探測器 及其 制備 方法 | ||
1.一種氧化鎵日盲光電探測器，包括：
襯底(100)；
多層氧化鎵(200)，所述多層氧化鎵(200)堆疊設于所述襯底(100)的表面；
氧化鎵(200)與襯底(100)之間、兩層氧化鎵(200)之間設有納米厚度電極層(300)；其中，奇數層納米厚度電極層(300)嵌入氧化鎵內部的同時，延伸至氧化鎵外部并相互重疊；偶數層納米厚度電極層(300)嵌入氧化鎵內部的同時，延伸至氧化鎵外部另外一側并相互重疊。
2.根據權利要求1所述的日盲光電探測器，所述襯底(100)為絕緣材料。
3.根據權利要求1所述的日盲光電探測器，所述納米厚度電極層(300)的材料為Ti、Cr、Ni、Pt、Au、Ag、W、In、Al、Ru、Pd、TiN、Ta、TaN、ITO或石墨烯中的一種或多種。
4.根據權利要求1所述的日盲光電探測器，所述單層納米厚度電極層(300)的厚度小于10nm。
5.根據權利要求1所述的日盲光電探測器，所述納米厚度電極層(300)的層數大于2。
6.根據權利要求1所述的日盲光電探測器，每層所述氧化鎵(200)的厚度為1～500nm。
7.一種氧化鎵日盲光電探測器的制備方法，包括：
S1，在襯底(100)上設置一層納米厚度電極層(300)；
S2，在所述納米厚度電極層(300)表面形成氧化鎵(200)；
S3，在所述氧化鎵(200)上設置另一層納米厚度電極層(300)；
S4，重復執行步驟S2～S3，直至所述納米厚度電極層(300)的層數達到預設值。
8.根據權利要求7所述的方法，所述納米厚度電極層(300)的層數的預設值大于2層。
9.根據權利要求7所述的方法，每層所述氧化鎵(200)的厚度為1～500nm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
