[發(fā)明專利]用于功率電子部件的結(jié)合配對(duì)件的材料結(jié)合的裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010552324.1 | 申請(qǐng)日： | 2020-06-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112133644A | 公開（公告）日： | 2020-12-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | S·席爾默 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 賽米控電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/67 | 分類號(hào)： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 重慶西聯(lián)律師事務(wù)所 50250 | 代理人： | 唐超塵;王樅 |
| 地址： | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 功率 電子 部件 結(jié)合 配對(duì) 材料 裝置 | ||
1.裝置(1)，該裝置(1)具有壓模(2)并且具有彈性的襯墊元件(3)，用于第一結(jié)合配對(duì)件(5)到第二結(jié)合配對(duì)件(6)的壓力燒結(jié)的材料結(jié)合，其特征在于，
彈性的襯墊元件(3)由幾何穩(wěn)定的框架(4)圍繞，在框架(4)內(nèi)以線性移動(dòng)的方式引導(dǎo)襯墊元件(3)和壓模(2)的安裝元件(20)，以至于使得幾何穩(wěn)定的框架(4)降低到第一結(jié)合配對(duì)件(5)上或者降低到其上布置有第一結(jié)合配對(duì)件(5)的工件載架(7)上，并且在框架支承在第一結(jié)合配對(duì)件(5)或者工件載架(7)上之后，將壓模(2)與彈性的襯墊元件(3)一起降低到第二結(jié)合配對(duì)件(6)上，并且彈性的襯墊元件(3)施加將第一結(jié)合配對(duì)件(5)接合到第二結(jié)合配對(duì)件(6)的所需壓力，并且其中彈性的襯墊元件(3)包括彈性的封殼(30，32)和由封殼(30，32)包封的液體或凝膠狀的介質(zhì)(34)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，第一結(jié)合配對(duì)件(5)到第二結(jié)合配對(duì)件(6)是功率電子器件中的部件的結(jié)合配對(duì)件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，
襯墊元件(3)的封殼(30，32)由硅橡膠組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，襯墊元件(3)的封殼(30，32)具有在25和100之間的肖氏A硬度，以及在從0.5mm到5mm的范圍內(nèi)的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，襯墊元件(3)的封殼(30，32)具有在50和75之間的肖氏A硬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，
所述硅橡膠通過(guò)金屬添加劑來(lái)穩(wěn)定，并且因此能夠在高于175℃的溫度下以及在10到40MPa之間的壓力下使用。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述硅橡膠能夠在高于210℃的溫度下使用。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述硅橡膠通過(guò)鐵或鐵化合物來(lái)穩(wěn)定。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述硅橡膠通過(guò)鐵氧化物來(lái)穩(wěn)定。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，
將封殼(30)設(shè)置為填充有介質(zhì)(34)的囊，或者其中封殼(32)以形狀配合、力配合或材料地在周向區(qū)域中與壓模(2)連接，并且介質(zhì)(34)布置在因此形成的體積區(qū)域中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，
介質(zhì)(34)的沸點(diǎn)高于200℃。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，
介質(zhì)(34)的沸點(diǎn)高于250℃。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，
介質(zhì)(34)選自于以下的組：
·硅酮液體；或
·硅油脂(340)；或
·油(342)；或
·金屬，其在正常條件下為液態(tài)；或
·熔融鹽；或
·相變材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，
所述金屬是鎵、銦和錫的合金。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，
所述熔融鹽是硫代硫酸鈉。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，
相變材料從固態(tài)變?yōu)橐簯B(tài)的相變溫度在50℃至250℃之間的范圍內(nèi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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