本發明的技術領域為半導體測試領域，提供了一種多層有機基板及制作方法，其方法包括：在承載板上以加成法/半加成法制作具有第一精密線路的探針植入層；在探針植入層上以加成法/半加成法制作具有第二精密線路的功能組合層，其中第二精密線路的線路精密度要求低于第一精密線路；結合并行制作的介質層和導體層制作可快速增層的核心組合層，并將核心組合層覆蓋在功能組合層上；在核心組合層上以加成法/半加成法制作扇出線路組合層和用于轉接load board的BGA PAD層以形成多層有機基板。通過本發明實現了低成本、短制作周期的多層有機基板的制作方法，進而縮小多層有機基板的C4 Pad最小間距以及提升探針植入層的布線密度，同時C4 Pad面可獲得超平整度。

技術領域

本發明涉及半導體測試領域，尤指一種多層有機基板及制作方法。

背景技術

MLO是Multi layered Organic substrate的縮寫，中文為多層有機載板，其用于搭載垂直探針卡來測試未切割的晶圓；在MLO上植入探針的尺寸需要匹配被測晶圓上的觸點(C4 Pad),所以這要求MLO基板具有高精密的線路層(C4 Side),植針及測試要求基板具有高剛度與強度，通常都會通過提高總板厚來達到要求，晶圓測試要求探針具有良好的共面性,這就要求植入探針的MLO基板具有良好的表面平整度。

MLO多層有機基板的現有制造方法為傳統的核心(core)板層增層工藝，先制作core板層，并在core層使用SAP工藝增層制作各功能層，最后在最外層制作最精密要求的C4side層，其結構可描述如如2+N+2/3+N+3/4+N+4。中間N(代表內層數)為支撐及增加厚度的核心core層，外側為增層法(Build up)制作的2階以上的高密度互聯層，數字為增層法的階數。由于MLO對接與芯片層C4面對線路密度要求極高，傳統PCB/BGA用的減成法工藝已無法制作，甚至與Substrate常用的mSAP工藝也很難達到要求，最新的技術要求只能使用日本大運味之素的ABF薄膜的全加成法SAP工藝，此種電鍍工藝由于高成本多用于高階的CPU/GPU等高性能運算領域的封裝基板，從技術上極限線寬/線距(15/15um)，基于現有工藝生產MLO需要10次以上的線路，壓合，鉆孔工藝，流程復雜，成本高，交期長，技術上也達到一個瓶頸，持續進階困難。

埋入式線路工藝源于古老的大馬士革鑲嵌工藝(damascene process)，其在半導體封裝領域被用于高密度加成法/半加成法布線，適合制作封裝基板的單一高密度布線層，應用一般少層數的薄型基板領域，增數一般不超過3次，層數越多其相較傳統雙面增層工藝則成本越高，埋入式線路工藝在目前封裝基板領域目前占比仍較低，單獨的埋入式線路工藝無法適合極高層數及高厚要求MLO基板。

發明內容

本發明的目的是提供一種多層有機基板及制作方法，解決了以上問題，實現了低成本、短制作周期的多層有機基板的制作方法，進而縮小多層有機基板的C4 Pad最小間距以及提升探針植入層的布線密度，同時C4 Pad面可獲得超平整度技術特征。

本發明提供的技術方案如下：

一種多層有機基板的制作方法，包括步驟：

在承載板上以加成法/半加成法制作具有第一精密線路的探針植入層，所述探針植入層用于植入探針。

在所述探針植入層上以加成法/半加成法制作具有第二精密線路的功能組合層，其中第二精密線路的線路精密度要求低于第一精密線路。

結合并行制作的介質層和導體層制作可快速增層的核心組合層，并將所述核心組合層覆蓋在所述功能組合層上。

在所述核心組合層上以加成法/半加成法制作扇出線路組合層和用于轉接loadboard的BGA PAD層以形成多層有機基板。

其中，所述第一精密線路、第二精密線路、導體層中導體、扇出線路組合層中扇出線路、BGA PAD層相互電路導通。