[發明專利]一種CVD培育金剛石高溫高壓改性用組裝塊及改性方法有效
| 申請號： | 202010541379.2 | 申請日： | 2020-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN111659318B | 公開（公告）日： | 2023-10-27 |
| 發明（設計）人： | 蔡立超;秦超;王倫宗;王濟兵;韓詠 | 申請（專利權）人： | 山東聊城君銳超硬材料有限公司 |
| 主分類號： | B01J3/06 | 分類號： | B01J3/06;B01J3/00 |
| 代理公司： | 北京惠科金知識產權代理有限公司 11981 | 代理人： | 任立晨 |
| 地址： | 252000 山東省聊城市高*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cvd 培育 金剛石 高溫 高壓 改性 組裝 方法 | ||
1.一種CVD培育金剛石高溫高壓改性用組裝塊，其特征在于，包括位于外層的葉蠟石塊，所述葉蠟石塊內設有將其貫穿的安裝腔，所述安裝腔的兩端均設置與其截面對應的導電帽，所述導電帽的內側端面上設有與其相接觸的加熱片，兩個所述加熱片之間設有加熱管，所述加熱管的軸向垂直加熱片，且所述加熱管的兩端環形端面分別與同側的加熱片相接觸，所述加熱管的外部套接有第一保溫管，所述加熱管內設有兩個保溫柱，兩個所述保溫柱之間用于放置金剛石。
2.根據權利要求1所述一種CVD培育金剛石高溫高壓改性用組裝塊，其特征在于，所述安裝腔內壁上嵌有第二保溫管，所述加熱片設置于第二保溫管的內部。
3.根據權利要求1所述一種CVD培育金剛石高溫高壓改性用組裝塊，其特征在于，所述安裝腔為圓形，所述導電帽、加熱片、第一保溫管、加熱管及加熱柱均為圓形件，且所述導電帽、加熱片和第一保溫管的外徑與安裝腔的內徑相適應。
4.根據權利要求1所述一種CVD培育金剛石高溫高壓改性用組裝塊，其特征在于，所述第一保溫管和加熱管的長度相同，所述保溫柱的高度是加熱管高度的一半。
5.根據權利要求1所述一種CVD培育金剛石高溫高壓改性用組裝塊，其特征在于，所述導電帽包括金屬碗和填芯，所述金屬碗使用耐高溫金屬材料，所述填芯使用耐高溫陶瓷材料，所述填芯設置于導電帽的里側端面。
6.根據權利要求5所述一種CVD培育金剛石高溫高壓改性用組裝塊，其特征在于，所述金屬碗采用包括低碳鋼、鉬、鈦中的任一種制得；
和/或
所述填芯采用白云石、氧化鋯陶瓷、氧化鎂陶瓷、氧化鋁陶瓷中的任一種材料制得。
7.根據權利要求1所述一種CVD培育金剛石高溫高壓改性用組裝塊，其特征在于，所述加熱片和/或加熱管采用人造碳素、石墨板材、鉬中的任一種材料制得。
8.根據權利要求2所述一種CVD培育金剛石高溫高壓改性用組裝塊，其特征在于，所述第一保溫管采用白云石或氧化鋯陶瓷、氧化鎂陶瓷、氧化鋁陶瓷中的任一種材料制得；
和/或
第二保溫管采用白云石或氧化鋯陶瓷、氧化鎂陶瓷、氧化鋁陶瓷中的任一種材料制得；
和/或
保溫柱采用白云石或氧化鋯陶瓷、氧化鎂陶瓷、氧化鋁陶瓷中的任一種材料制得。
9.根據權利要求1所述一種CVD培育金剛石高溫高壓改性用組裝塊，其特征在于，所述葉蠟石塊包括上下設置的兩個對稱的石塊單體，兩個石塊單體上下拼合構成葉蠟石塊，所述導電帽組合于石塊單體的外端開口。
10.一種CVD培育金剛石的高溫高壓改性方法，其特征在于，使用如權利要求1-9任一項的組裝塊，將CVD培育的金剛石放置于兩個保溫柱之間，改性時通過高溫高壓合成壓機頂錘擠壓組裝塊的六個面，產生改性所需8～9GPa的的壓力，通過對加熱片和加熱管通電產生改性所需1800～2200℃的溫度。
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