[發(fā)明專利]用于處理基板的裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010525555.3 | 申請日： | 2020-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN112071774A | 公開（公告）日： | 2020-12-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 金大城;樸恩雨 | 申請（專利權）人： | 細美事有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 車今智 |
| 地址： | 韓國忠清南道天安*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 處理 裝置 | ||
1.一種用于處理基板的裝置，所述裝置包括：
處理容器，在所述處理容器中具有處理空間；
基板支承單元，所述基板支承單元配置為支承所述處理空間中的所述基板；和
液體分配單元，所述液體分配單元配置為將處理液體分配到放置在所述基板支承單元上的所述基板上，
其中，所述液體分配單元包括：
處理液體管，所述處理液體流動通過所述處理液體管；
恒溫水管，恒溫水流動通過所述恒溫水管，所述恒溫水管配置為圍繞所述處理液體管，其中所述恒溫水將流動通過所述處理液體管的所述處理液體維持在設定溫度；
恒溫水供應管，所述恒溫水供應管配置為將所述恒溫水供應至所述恒溫水管；和
活化構件，所述活化構件安裝在所述恒溫水供應管中并且配置為活化所述恒溫水中的離子。
2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述恒溫水供應管包括：
上游側供應管，所述上游側供應管配置為連接恒溫水源和所述活化構件；和
下游側供應管，所述下游側供應管配置為連接所述恒溫水管和所述活化構件，并且
其中，所述活化構件為從所述上游側供應管和所述下游側供應管可拆卸的。
3.根據(jù)權利要求2所述的裝置，其中，所述活化構件包括：
金屬管；和
鄰近所述金屬管設置的有機管。
4.根據(jù)權利要求3所述的裝置，其中，所述有機管包括：
第一有機管，所述第一有機管配置為連接所述上游側供應管和所述金屬管的一端；以及
第二有機管，所述第二有機管配置為連接所述下游側供應管和所述金屬管的相對端。
5.根據(jù)權利要求4所述的裝置，其中，所述第一有機管和所述第二有機管的每個具有形成在其中的多個流體通道，所述恒溫水在所述多個流體通道中流動。
6.根據(jù)權利要求3所述的裝置，其中，所述有機管具有形成在其中的多個流體通道，所述恒溫水在所述多個流體通道中流動，并且
其中，所述金屬管具有形成在其中的單個流體通道，所述單個流體通道與所述多個流體通道連接。
7.根據(jù)權利要求2至6中任一項所述的裝置，其中，所述金屬管由含鋅的材料形成，并且
其中，所述第一有機管和所述第二有機管的每個由含碳的材料形成。
8.根據(jù)權利要求7所述的裝置，其中，所述液體分配單元還包括：
歧管，所述歧管配置為連接所述恒溫水管和所述恒溫水供應管；和
恒溫水收集管，所述恒溫水收集管配置為將來自所述歧管的所述恒溫水收集到所述恒溫水源中。
9.根據(jù)權利要求8所述的裝置，其中，所述活化構件另外安裝在所述恒溫水收集管中。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
