[發(fā)明專利]一種單晶生產(chǎn)線及水冷裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010520906.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111472042A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬騰飛;汪奇;龍昭欽;蘭志勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 四川晶科能源有限公司 |
| 主分類號(hào): | C30B15/00 | 分類號(hào): | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 劉新雷 |
| 地址: | 614802 四川省*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 生產(chǎn)線 水冷 裝置 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了單晶生產(chǎn)線及水冷裝置,該水冷裝置包括呈管狀的外層水冷壁;嵌套于所述外層水冷壁的內(nèi)側(cè)壁的底部且呈管狀的內(nèi)層水冷壁;與所述外層水冷壁和所述內(nèi)層水冷壁相連、用以實(shí)現(xiàn)供水和出水的給水機(jī)構(gòu)。上述水冷裝置的冷卻效果更好,提高了熔融態(tài)單晶的凝固速度,解決了單晶棒生產(chǎn)效率低的問(wèn)題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及單晶棒生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種水冷裝置。此外,本發(fā)明還涉及一種包括上述水冷裝置的單晶生產(chǎn)線。
背景技術(shù)
眾所周知,硅是最常見(jiàn)應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料,當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成晶核,其晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒,形成單晶硅。單晶硅作為一種比較活潑的非金屬元素晶體,是晶體材料的重要組成部分,處于新材料發(fā)展的前沿,其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽(yáng)能光伏發(fā)電等。
在單晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,目前大多企業(yè)采用單層水冷裝置進(jìn)行拉晶,但是單層水冷裝置的冷卻效果較差,難以提高熔融態(tài)單晶的提拉速度。
因此,如何提高單晶的冷卻效率是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種水冷裝置,該水冷裝置的冷卻效果更好,提高了熔融態(tài)單晶的凝固速度,解決了單晶棒生產(chǎn)效率低的問(wèn)題。本發(fā)明的另一目的是提供一種包括上述水冷裝置的單晶生產(chǎn)線。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種水冷裝置,包括:呈管狀的外層水冷壁;嵌套于所述外層水冷壁的內(nèi)側(cè)壁的底部且呈管狀的內(nèi)層水冷壁;與所述外層水冷壁和所述內(nèi)層水冷壁相連、用以實(shí)現(xiàn)供水和出水的給水機(jī)構(gòu)。
優(yōu)選地,所述給水機(jī)構(gòu)包括:與所述內(nèi)層水冷壁相連的第一供水管;連通所述內(nèi)層水冷壁和所述外層水冷壁的導(dǎo)水管;與所述外層水冷壁相連的出水管。
優(yōu)選地,所述外層水冷壁和所述內(nèi)層水冷壁二者的內(nèi)部均具有環(huán)繞水通路。
優(yōu)選地,所述供水管與所述內(nèi)層水冷壁的第一側(cè)的頂部相連,所述導(dǎo)水管的兩端分別連接所述內(nèi)層水冷壁的第一側(cè)的頂部和所述外層水冷壁的第一側(cè)的頂部,所述出水管與所述外層水冷壁的第二側(cè)的頂部相連。
優(yōu)選地,所述內(nèi)層水冷壁的環(huán)繞水通路內(nèi)的第一側(cè)設(shè)有擋壁,以分隔所述內(nèi)層水冷壁的進(jìn)水口和出水口。
優(yōu)選地,所述外層水冷壁與所述內(nèi)層水冷壁可拆卸連接。
優(yōu)選地,所述給水機(jī)構(gòu)還包括與所述外層水冷壁的進(jìn)水口相連的第二供水管。
相對(duì)于上述背景技術(shù),本發(fā)明提供的水冷裝置,通過(guò)設(shè)置內(nèi)層水冷壁和外層水冷壁來(lái)提高單晶的冷卻效率。具體來(lái)說(shuō),外層水冷壁和內(nèi)層水冷壁嵌套設(shè)置,給水機(jī)構(gòu)向外層水冷壁和內(nèi)層水冷壁提供冷水并將經(jīng)過(guò)換熱后的水引出,進(jìn)而增大熔融態(tài)單晶的凝固速度。
本發(fā)明還提供一種單晶生產(chǎn)線,包括:用以拉制熔融態(tài)單晶的單晶爐;設(shè)于所述單晶爐內(nèi)、用以冷卻熔融態(tài)單晶并形成單晶棒且如上述任一項(xiàng)所述的水冷裝置。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明所提供的一種水冷裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明所提供的一種水冷裝置的底部的剖視圖;
其中,
01-單晶棒、1-外層水冷壁、2-內(nèi)層水冷壁、3-第一供水管、4-導(dǎo)水管、5-出水管。
具體實(shí)施方式
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