[發(fā)明專利]基于EBSD技術(shù)的鎂合金拉伸孿晶體積分?jǐn)?shù)的計(jì)算方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010504113.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111678931B | 公開(公告)日: | 2023-04-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳懿萍;熊漢青;謝邵輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長沙學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | G01N23/20058 | 分類號(hào): | G01N23/20058;G01N23/203;G01N23/2055 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 43113 | 代理人: | 李發(fā)軍;曾利平 |
| 地址: | 410000 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 ebsd 技術(shù) 鎂合金 拉伸 晶體 積分 計(jì)算方法 | ||
1.一種基于EBSD技術(shù)的鎂合金拉伸孿晶體積分?jǐn)?shù)的計(jì)算方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:對(duì)拉伸應(yīng)變?yōu)镹%的鎂合金進(jìn)行EBSD測試,獲得EBSD測試圖,所述EBSD測試圖包括測試取向圖和對(duì)應(yīng)的測試反極圖;
步驟2:在所述測試取向圖中,根據(jù)晶界取向變化標(biāo)示出拉伸孿晶晶界;
步驟3:選出符合規(guī)定方向要求的晶粒,獲得符合規(guī)定方向要求的晶粒的EBSD取向圖和對(duì)應(yīng)的反極圖,所述規(guī)定方向是指晶粒的c軸平行于拉伸方向;
步驟4:結(jié)合所述步驟1中的EBSD測試圖,去除所述步驟2中符合規(guī)定方向要求的晶粒的EBSD取向圖中不符合規(guī)定方向要求的晶粒,獲得完全符合規(guī)定方向要求的晶粒,從而獲得完全符合規(guī)定方向要求的晶粒的取向圖和對(duì)應(yīng)的反極圖;
步驟5:在所述步驟4中完全符合規(guī)定方向要求的晶粒的反極圖中,將未發(fā)生拉伸孿晶所剩母體和拉伸孿晶分離開,獲得拉伸孿晶的取向圖和對(duì)應(yīng)的反極圖,以及未發(fā)生拉伸孿晶所剩母體的取向圖和對(duì)應(yīng)的反極圖;
步驟6:根據(jù)所述步驟5中拉伸孿晶的反極圖和未發(fā)生拉伸孿晶所剩母體的反極圖,計(jì)算拉伸孿晶體積分?jǐn)?shù),所述拉伸孿晶體積分?jǐn)?shù)的計(jì)算表達(dá)式為:
其中,fs為拉伸孿晶體積分?jǐn)?shù),P孿為拉伸孿晶的質(zhì)點(diǎn)數(shù),P母為母體晶粒的總質(zhì)點(diǎn)數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種基于EBSD技術(shù)的鎂合金拉伸孿晶體積分?jǐn)?shù)的計(jì)算方法,其特征在于:所述步驟2中,在晶粒中產(chǎn)生拉伸孿晶后,晶粒的c軸會(huì)沿著方向發(fā)生86.3°的取向變化,根據(jù)該取向變化標(biāo)示出拉伸孿晶晶界。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種基于EBSD技術(shù)的鎂合金拉伸孿晶體積分?jǐn)?shù)的計(jì)算方法,其特征在于:所述步驟3中,在HKL?Channel?5軟件中通過“Texture?component”選項(xiàng)選出符合規(guī)定方向要求的晶粒。
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