[發明專利]陣列基板制備方法和半透光光罩在審
| 申請號: | 202010466629.0 | 申請日: | 2020-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN111613577A | 公開(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發明(設計)人: | 李利霞 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;G03F1/32;G02F1/1368;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制備 方法 透光 | ||
1.一種陣列基板制備方法,其特征在于,包括:
提供襯底;
在所述襯底上形成有源層;
在所述有源層上涂布第一光阻層;
采用光透過半透光光罩對所述第一光阻層進行光刻處理,得到第一光阻圖案;所述半透光光罩包括不透光區域、半透光區域和全透光區域,所述不透光區域的透光率小于所述半透光區域的透光率,所述半透光區域的透光率小于所述全透光區域的透光率;所述有源層包括溝道區和導體區,所述不透光區域與所述溝道區對應,所述半透光區域與所述導體區對應;所述第一光阻圖案包括與所述不透光區域對應的第一光阻區域、以及與所述半透光區域對應的第二光阻區域,所述第一光阻區域的厚度大于所述第二光阻區域的厚度;
對所述有源層和所述第一光阻圖案進行刻蝕,得到第二光阻圖案和有源層圖案;所述第二光阻圖案對應設置于所述溝道區;
在所述有源層圖案以及所述第二光阻圖案上形成源漏極層;
在所述源漏極層上涂布第二光阻層;
采用光透過光罩對所述第二光阻層進行光刻處理,得到第三光阻圖案;所述第三光阻圖案對應所述源漏極層的源漏極圖案;
對所述源漏極層進行刻蝕,得到源漏極層圖案。
2.如權利要求1所述的陣列基板制備方法,其特征在于,所述采用光透過半透光光罩對所述第一光阻層進行光刻處理,得到第一光阻圖案的步驟,包括:
對位所述半透光光罩和陣列基板,以使得所述不透光區域與所述溝道區對應,所述半透光區域與所述導體區對應;
采用光照對所述第一光阻層進行光刻處理,得到第一光阻圖案。
3.如權利要求1所述的陣列基板制備方法,其特征在于,所述第一光阻區域的厚度與所述第二光阻區域的厚度的比值范圍為四分之一至二分之一。
4.如權利要求1所述的陣列基板制備方法,其特征在于,所述采用光透過半透光光罩對所述第一光阻層進行光刻處理,得到第一光阻圖案的步驟,包括:采用紫外光透過半透光光罩對第一光阻層進行照射。
5.如權利要求1所述的陣列基板制備方法,其特征在于,所述在所述襯底上形成有源層的步驟之前,還包括:
在所述襯底上形成柵極層,并刻蝕所述柵極層得到柵極層圖案;
在所述柵極層圖案上形成柵極絕緣層;
在所述柵極絕緣層上沉積非晶硅,形成有源層。
6.如權利要求1所述的陣列基板制備方法,其特征在于,所述在所述襯底上形成有源層的步驟之前,還包括:
在所述襯底上形成柵極層,并刻蝕所述柵極層得到柵極層圖案;
在所述柵極層圖案上形成柵極絕緣層;
在所述柵極絕緣層上沉積氧化銦鋅,形成有源層。
7.如權利要求1所述的陣列基板制備方法,其特征在于,所述在所述源漏極層上涂布第二光阻層的步驟,包括:
提供與所述第一光阻層相同的材料;
在所述源漏極層上涂布所述材料,得到第二光阻層。
8.如權利要求1所述的陣列基板制備方法,其特征在于,所述采用光透過光罩對第二光阻層進行照射,得到第三光阻圖案的步驟,包括:
設置所述光罩的中間區域為全透光區域;
設置所述全透光區域的兩側為不透光區域;所述全透光區域的透光率大于所述不透光區域的透光率;
設置所述不透光區域的兩側為全透光區域,得到所述光罩;
采用光照透過所述光罩照射第二光阻層,得到第三光阻圖案。
9.一種半透光光罩,其特征在于,用于制備如權利要求1至8任一所述的陣列基板制備方法制備的有源層,所述半透光光罩包括:
不透光區域,與所述有源層的溝道區對應;
半透光區域,設置于所述不透光區域兩側,所述半透光區域與所述有源層的導體區對應;
全透光區域,設置于所述半透光區域兩側;
其中,所述不透光區域的透光率小于所述半透光區域的透光率,所述半透光區域的透光率小于所述全透光區域的透光率。
10.如權利要求9所述的半透光光罩,其特征在于,所述不透光區域的透光率范圍為0至5%,所述半透光區域的透光率范圍為50%至80%,所述全透光區域的透光率范圍為90%至100%。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





