1.一種氮化鎵單晶襯底的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

步驟1)，提供一氮化鎵模板，所述氮化鎵模板包括依次層疊的藍寶石襯底、緩沖層、第一非摻雜氮化鎵層、超晶格量子阱層及第二非摻雜氮化鎵層，所述超晶格量子阱層為周期排列的AlxInyGa1-x-yN/AlaInbGa1-a-bN多層膜，0≤x≤0.5，0≤y≤0.5，0≤a≤0.5，0≤b≤0.5，AlxInyGa1-x-yN/AlaInbGa1-a-bN的厚度范圍介于1納米～20納米；

步驟2)，采用氫化物氣相外延方法在所述氮化鎵模板上外延生長氮化鎵層；

步驟2-1)，采用氫化物氣相外延方法在所述氮化鎵模板上外延生長第一氮化鎵層，所述第一氮化鎵層的厚度介于100微米～450微米之間；

步驟2-2)，采用激光剝離方法將所述氮化鎵模板中的所述藍寶石襯底剝離，獲得薄氮化鎵單晶襯底；

步驟2-3)，采用物理方法或者化學方法去除所述薄氮化鎵單晶襯底中晶體質量最差的底層部分；

步驟2-4)，采用氫化物氣相外延方法在所述薄氮化鎵單晶襯上外延生長第二氮化鎵層，獲得厚氮化鎵單晶襯底；

步驟2-5)，將所述厚氮化鎵單晶襯底進行研磨拋光，獲得氮化鎵單晶襯底。