1.一種晶圓研磨前裂片異常的處理方法，其特征在于包括如下步驟：

（1）晶圓碎片定位：將破裂的各晶圓碎片正面朝上放置在定位盤(pán)上，定位盤(pán)中部設(shè)置有定位孔，定位孔與完整晶圓的形狀和大小相匹配設(shè)置，使得破裂的各晶圓碎片在定位孔中拼裝成一個(gè)完整的晶圓；

（2）晶圓碎片合框：將各晶圓碎片從定位孔取出，然后將各晶圓碎片背面朝上放置在晶圓合框機(jī)的載臺(tái)上，使得各晶圓碎片拼成一個(gè)完整的晶圓，晶圓合框機(jī)的載臺(tái)上放置有外框，確保拼成的晶圓與外框的中心相重合，晶圓合框機(jī)在外框、拼裝的晶圓背面貼上背面膠膜一，將外框和拼裝的晶圓合框固定為一體；

（3）晶圓規(guī)則切割：將合框固定的拼裝晶圓正面朝上放置在晶圓切割機(jī)上，晶圓切割機(jī)沿著切割線對(duì)面積最大的晶圓碎片進(jìn)行切割，使得面積最大的晶圓碎片的破裂邊緣被切掉，控制切割線與面積最大的晶圓碎片的破裂邊緣的間距為1.9~2.1mm；面積最大的晶圓碎片的破裂邊緣與晶圓碎片上IC的邊緣線相平行時(shí)，切割線與面積最大的晶圓碎片的破裂邊緣平行；面積最大的晶圓碎片的破裂邊緣與晶圓碎片上IC的邊緣線相傾斜時(shí)，切割線與面積最大的晶圓碎片的破裂邊緣平行或者相交；

（4）標(biāo)記切割線：將合框固定的拼裝晶圓從切割機(jī)中取出，將背面膠膜一上面積小于最大晶圓碎片的其他晶圓碎片拿走，通過(guò)記號(hào)筆在背面膠膜一的正反兩面均沿著面積最大晶圓碎片的被切割線作出標(biāo)記線段，然后將面積最大晶圓碎片與外框、背面膠膜一分離并將其放置在定位盤(pán)中，保留外框和背面膠膜一；標(biāo)記線段的左右兩端均與背面膠膜一的邊緣相交；

（5）假片切割：將面積大小、厚度與晶圓相同的圓形硅片放置在外框的背面膠膜一上，使得外框與硅片的中心相重合，找到背面膠膜一上位于硅片兩側(cè)的標(biāo)記線段，將外框上的硅片正面朝上放置在切割機(jī)中，切割機(jī)沿著標(biāo)記線段對(duì)硅片進(jìn)行切割，然后將切割后的硅片從切割機(jī)取出，從外框的背面膠膜一上取下可與步驟（4）中面積最大晶圓碎片拼裝成整圓的假片；

（6）假片補(bǔ)全：將步驟（5）中的假片放入定位盤(pán)中，與面積最大晶圓碎片拼裝成完整的假晶圓，通過(guò)正面貼膜機(jī)在假晶圓上貼上正面膠膜；

（7）假晶圓研磨：通過(guò)雙手抓住假晶圓，將假晶圓的正面膠膜朝下水平放置在研磨機(jī)的研磨臺(tái)上，研磨輪對(duì)假晶圓的背面進(jìn)行研磨，完成研磨后雙手水平抓著假晶圓將其水平取出，對(duì)假晶圓進(jìn)行清洗；研磨機(jī)包括三個(gè)可沿周向移動(dòng)的圓形研磨臺(tái)，三個(gè)研磨臺(tái)沿周向均勻間隔分布設(shè)置， 各研磨臺(tái)的表面均為布滿(mǎn)多個(gè)吸附孔的陶瓷面，各吸附孔均與抽真空系統(tǒng)相連接，研磨臺(tái)的外徑為12寸，與第一個(gè)研磨臺(tái)相對(duì)應(yīng)地設(shè)置有上料機(jī)械手，與第三個(gè)研磨臺(tái)相對(duì)應(yīng)地設(shè)置有下料機(jī)械手，第一個(gè)研磨臺(tái)上方設(shè)置有粗磨輪，第二個(gè)研磨臺(tái)上方設(shè)置有精磨輪；

（8）研磨后的晶圓碎片合框：將清洗后的假晶圓的正面膠膜撕除，分離假片與面積最大晶圓碎片，將面積最大晶圓碎片背面朝上放置在晶圓合框機(jī)的載臺(tái)上，晶圓合框機(jī)的載臺(tái)上放置有外框，使得面積最大晶圓碎片與外框的中心相重合，晶圓合框機(jī)在外框、面積最大晶圓碎片背面貼上背面膠膜二，將外框和面積最大晶圓碎片合框固定為一體；

（9）切割撿晶：將合框固定的面積最大晶圓碎片放入切割機(jī)中，使得面積最大晶圓碎片正面朝上，切割機(jī)對(duì)面積最大晶圓碎片進(jìn)行切割，將晶圓碎片切割成若干顆IC，通過(guò)UV照射機(jī)照射背面膠膜二，使得背面膠膜二失去粘性，撿晶機(jī)將檢驗(yàn)合格的各IC挑揀至tray盤(pán)內(nèi)。