[發明專利]一種修正模型的建立方法及裝置、掩模優化方法及裝置在審
| 申請號: | 202010419225.6 | 申請日: | 2020-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN111443569A | 公開(公告)日: | 2020-07-24 |
| 發明(設計)人: | 馬樂;韋亞一;張利斌;陳睿 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 柳虹 |
| 地址: | 100029 北京市朝陽*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 修正 模型 建立 方法 裝置 優化 | ||
1.一種修正模型的建立方法,其特征在于,所述方法包括:
獲取歷史掩模圖形對應的歷史權重;所述歷史權重基于所述歷史掩模圖形的圖形參數和/或所述歷史曝光圖形的實際參數,以及所述歷史掩模圖形的初始權重確定,所述歷史掩模圖形的初始權重與所述歷史掩模圖形的類型對應;
基于所述歷史掩模圖形的圖形參數、所述歷史掩模圖形曝光得到的歷史曝光圖形的實際參數和所述歷史權重建立修正模型。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述歷史權重基于所述初始權重和所述歷史掩模圖形的修正系數確定,所述修正系數基于所述歷史掩模圖形的圖形參數和/或所述歷史曝光圖形的實際參數確定。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述歷史掩模圖形的類型包括以下至少一種:獨立線條圖形、線條周期圖形、獨立方塊圖形、方塊周期陣列圖形、方塊交錯排列圖形、獨立矩形圖形、矩形周期陣列圖形、矩形交錯排列圖形、獨立端對端圖形、端對端周期圖形、獨立端對線圖形、端對線周期圖形、L型圖形、U型圖形、T型圖形、H型圖形、獨立間隙圖形、間隙周期圖形。
4.根據權利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述歷史掩模圖形的圖形參數包括所述歷史掩模圖形的關鍵尺寸的至少兩種,所述歷史曝光圖形的實際參數包括所述歷史曝光圖形的關鍵尺寸的至少一種;所述關鍵尺寸包括線寬、周期、間距。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,
或或或
其中,所述k為所述修正系數,所述n為所述歷史掩模圖形的極限設計尺寸,所述d1為所述歷史掩模圖形的關鍵尺寸,所述m為具有所述極限設計尺寸的歷史掩模圖形曝光得到的歷史曝光圖形的極限實際尺寸,所述d2為所述歷史曝光圖形的實際尺寸。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
確定所述修正模型的預測誤差小于或等于預設誤差;所述預測誤差為利用修正模型得到的測試掩模圖形的預測參數與所述測試掩模圖形曝光得到的曝光圖形的實際參數的差距。
7.一種掩模圖形優化方法,其特征在于,所述方法包括:
利用修正模型,得到待修正掩模圖形對應的待修正曝光圖形的預測參數;所述修正模型利用權利要求1-6任一項所述的建立方法建立;
基于所述預測參數以及所述待修正曝光圖形的目標參數,對所述待修正掩模圖形進行修正,以減小所述預測參數和所述目標參數的差值。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述基于所述預測參數以及所述待修正曝光圖形的目標參數,對所述待修正掩模圖形進行修正,包括:
若所述預設參數與所述待修正曝光圖形的目標參數的差值大于或等于預設值,則基于所述差值,對所述待修正掩模圖形進行修正。
9.一種修正模型的建立裝置,其特征在于,所述裝置包括:
權重獲取單元,用于獲取歷史掩模圖形對應的歷史權重;所述歷史權重基于所述歷史掩模圖形的圖形參數和/或所述歷史曝光圖形的實際參數,以及所述歷史掩模圖形的初始權重確定,所述歷史掩模圖形的初始權重與所述歷史掩模圖形的類型對應;
模型建立單元,用于基于所述歷史掩模圖形的圖形參數、所述歷史掩模圖形曝光得到的歷史曝光圖形的實際參數和所述歷史權重建立修正模型。
10.一種掩模圖形優化裝置,其特征在于,所述裝置包括:
如權利要求9所述的修正模型的建立裝置;
預測參數確定單元,用于利用所述修正模型的建立裝置建立的所述修正模型,得到所述待修正掩模圖形對應的待修正曝光圖形的預測參數;
參數修正單元,用于基于所述預測參數以及所述待修正曝光圖形的目標參數,對所述待修正掩模圖形進行修正,以減小所述預測參數和所述目標參數的差值。
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G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
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