[發(fā)明專利]一種高性能鈣鈦礦電池吸收層的連續(xù)化生產方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010412416.X | 申請日: | 2020-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN111613729A | 公開(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳慶;廖健淞;楊潔;陳濤;白濤 | 申請(專利權)人: | 成都新柯力化工科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48 |
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| 地址: | 610091 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 性能 鈣鈦礦 電池 吸收 連續(xù) 化生 方法 | ||
本發(fā)明屬于鈣鈦礦電池吸收層技術領域,具體涉及一種高性能鈣鈦礦電池吸收層的連續(xù)化生產方法。本發(fā)明的方法包括如下步驟:制備前驅體墨水;將前驅體墨水裝入固定進料板中,在固定進料板的進料口附近設置5層刀口帶有微孔的刮刀,5層刮刀內部分別裝有氯苯溶液、改性劑、抗氧化涂層前驅體、抗水涂層前驅體、成膜助劑,5層刮刀的加熱溫度范圍依次為60~70℃、70~80℃、80~90℃、90~100℃、100~110℃;固定進料板的下方設置活動基板,活動基板以0.58~0.62mm/s的速度沿水平方向勻速移動,在活動基板的表面獲得具有均勻涂層的鈣鈦礦吸收層。本發(fā)明可實現(xiàn)高性能鈣鈦礦電池的連續(xù)化生產。
技術領域
本發(fā)明屬于鈣鈦礦電池吸收層技術領域,具體涉及一種高性能鈣鈦礦電池吸收層的連續(xù)化生產方法。
背景技術
有機-無機雜化鈣鈦礦太陽能電池作為第三代太陽能電池,具有光電轉換效率高、成本低廉等優(yōu)點,將逐漸代替第二代多晶硅太陽能電池。但目前的鈣鈦礦電池吸收層同樣存在很多缺點,合成工藝要求精細,壽命不長。許多科研人員致力于解決這兩個方面的問題,典型的解決方案為通過各種精細化工藝和摻雜改性以提高其結晶度。然而,現(xiàn)階段報導的典型改性工藝如SnF2摻雜、真空閃蒸等技術,對合成環(huán)境的要求較高,大多需要無氧或真空設備,不利于電池的連續(xù)化生產。因此,針對高性能鈣鈦礦電池的連續(xù)化生產工藝的改進具有十分重要的實際意義。
申請?zhí)枮镃N201711483820.0 的發(fā)明提供一種鈣鈦礦電池,包括依次疊置的導電基底層、電子傳輸層、鈣鈦礦吸收層和金屬電極,其中,在所述鈣鈦礦吸收層與電子傳輸層之間和/或在所述鈣鈦礦吸收層與所述金屬電極之間的表面設有導電防水層,所述導電防水層包括水接觸角大于90°的無機材料和電導率高于105S/cm的聚合物。還提供其制備方法,本申請所述的鈣鈦礦電池在防水的同時,兼顧對鈣鈦礦結構材料活性的保護以及鈦礦結構材料對光的吸收,提高鈣鈦礦電池的光電轉化效率。
申請?zhí)枮镃N201910230452.1的發(fā)明提供了一種大面積鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,具體包括采用刮涂法制備電子傳輸層和空穴傳輸層,采用先噴涂后刮涂的方法制備鈣鈦礦吸收層。刮涂的方式制備電子傳輸層和空穴傳輸層,能夠保證良好的膜層質量,為鈣鈦礦層提供基礎平臺,實現(xiàn)鈣鈦礦吸收層和電子傳輸層之間、鈣鈦礦吸收層與空穴傳輸層之間的良好結合;先噴涂后刮涂的方法所制備得鈣鈦礦層均勻平整,表面缺陷大大降低,對鈣鈦礦太陽能電池的效率提高具有很強的增益效果;刮涂和噴涂得制備方法簡單可行,對設備要求比較低,可應用于大面積鈣鈦礦太陽能電池的制備;可充分利用材料,在最大程度上節(jié)約成本,實現(xiàn)綠色生產。
申請?zhí)枮镃N201910509950.X的發(fā)明公開了一種具有防水功能的鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法,方法包括:在襯底上依次制備各個功能層;在最外層的功能層上制備離子液體層,其中離子液體層的材料為陽離子具有疏水特性的官能團,且支鏈末端含有C=C雙鍵,離子液體陰離子為鹵元素離子I-、Br-、Cl-以及F-中的一種的離子液體;在離子液體層上制備金屬電極,得到所述鈣鈦礦太陽能電池。本發(fā)明利用具有C=C雙鍵的離子液體在空氣中加熱發(fā)生聚合的性質,能在鈣鈦礦太陽能電池表面形成一層網(wǎng)狀的離子液體,加上離子液體疏水的特性,能起到表面防水的作用,從而顯著提高鈣鈦礦太陽電池的抗?jié)裥阅堋.斣诒砻娉练e離子液體時,不會阻擋電荷的傳輸,從而不會造成鈣鈦礦太陽能電池轉換效率的衰減。
申請?zhí)枮?01811334914.6的發(fā)明公開了一種CsPbBr3鈣鈦礦電池的連續(xù)氣相沉積制備方法,該電池結構在FTO導電玻璃的FTO薄膜所在面上沉積致密層NiO2薄膜或PEDOT:PSS薄膜作為空穴傳輸層;在空穴傳輸層上通過連續(xù)化學氣相沉積法制備鈣鈦礦光吸收層薄膜;在鈣鈦礦吸收層薄膜上制備電子傳輸層;最后在電子傳輸層上蒸鍍Ag電極作為頂電極。從而提高了鈣鈦礦光吸收層薄膜質量、襯底覆蓋性、穩(wěn)定性及重復性,減少載流子復合。同時,這種制備方法簡單,成本低廉,為鈣鈦礦太陽能電池的商業(yè)化應用提供了新的思路。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
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H01L51-52 ..器件的零部件
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