本發(fā)明提供一種數(shù)模轉(zhuǎn)換裝置及其數(shù)模轉(zhuǎn)換電路。所述數(shù)模轉(zhuǎn)換裝置包括第一數(shù)模轉(zhuǎn)換電路及第二數(shù)模轉(zhuǎn)換電路。第一數(shù)模轉(zhuǎn)換電路包括多個(gè)數(shù)模轉(zhuǎn)換部，其中每個(gè)數(shù)模轉(zhuǎn)換部包括多個(gè)P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。第二數(shù)模轉(zhuǎn)換電路包括多個(gè)數(shù)模轉(zhuǎn)換部，其中每個(gè)數(shù)模轉(zhuǎn)換部包括多個(gè)N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。對(duì)于每個(gè)數(shù)模轉(zhuǎn)換電路而言，每個(gè)數(shù)模轉(zhuǎn)換部的至少一些晶體管的體端子用于接收多個(gè)具有不同幅值的體電壓中的相應(yīng)一者，數(shù)模轉(zhuǎn)換部的晶體管中的每一個(gè)的柵極端子用于接收柵極信號(hào)，且每個(gè)數(shù)模轉(zhuǎn)換部接收到的柵極信號(hào)中的至少一些的電壓幅值在多個(gè)不同的邏輯高電平中的相應(yīng)一個(gè)與多個(gè)不同的邏輯低電平中的相應(yīng)一個(gè)間切換。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及數(shù)模轉(zhuǎn)換(digital to analog conversion)，特別是涉及一種數(shù)模轉(zhuǎn)換裝置及其數(shù)模轉(zhuǎn)換電路。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路包括多個(gè)P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(pMOSFET)及多個(gè)N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(nMOSFET)，且具有以下缺點(diǎn)。

(1)P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的總數(shù)目等于N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的總數(shù)目。因此，現(xiàn)有的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路使用大量的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，且占據(jù)大的面積。

(2)所有P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的體端子(bulk terminal)都接收最大電壓，而所有N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的體端子都接收最小電壓。因此，大多數(shù)P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管和大多數(shù)N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管有顯著的體效應(yīng)(body effect)和大的導(dǎo)通電阻值。

(3)對(duì)于P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)而言，當(dāng)此金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管將傳輸?shù)碾妷旱姆?magnitude)接近在其柵極端子(gate terminal)接收到的信號(hào)的電壓幅值時(shí)，此金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管很難導(dǎo)通。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種數(shù)模轉(zhuǎn)換裝置及其數(shù)模轉(zhuǎn)換電路。所述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路可以改善背景技術(shù)的至少一個(gè)缺點(diǎn)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)層面，一種數(shù)模轉(zhuǎn)換裝置適用于接收多個(gè)第一輸入電壓及多個(gè)第二輸入電壓，輸出與數(shù)字輸入信號(hào)所表示的值相應(yīng)的一個(gè)所述第一輸入電壓作為第一輸出電壓，且輸出與所述數(shù)字輸入信號(hào)所表示的值相應(yīng)的一個(gè)所述第二輸入電壓作為第二輸出電壓。所述第一輸入電壓在第一電壓范圍內(nèi)。所述第二輸入電壓在低于所述第一電壓范圍的第二電壓范圍內(nèi)。所述數(shù)模轉(zhuǎn)換裝置包含第一數(shù)模轉(zhuǎn)換電路及第二數(shù)模轉(zhuǎn)換電路。所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換電路包括多個(gè)第一數(shù)模轉(zhuǎn)換部，每個(gè)所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換部用于接收至少一個(gè)所述第一輸入電壓，所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換部共同輸出至少一個(gè)所述第一輸入電壓。所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換電路包括多個(gè)第二數(shù)模轉(zhuǎn)換部，每個(gè)所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換部用于接收至少一個(gè)所述第二輸入電壓，所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換部共同輸出至少一個(gè)所述第二輸入電壓。每個(gè)所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換部包括多個(gè)P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，每個(gè)所述P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有體端子及柵極端子。每個(gè)所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換部的至少一些所述P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述體端子用于接收多個(gè)具有不同幅值的第一體電壓中的相應(yīng)一個(gè)。所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換部的所述P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)的所述柵極端子用于接收柵極信號(hào)，且每個(gè)所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換部接收到的所述柵極信號(hào)中的至少一些的電壓幅值在多個(gè)不同的第一邏輯高電平中的相應(yīng)一個(gè)與多個(gè)不同的第一邏輯低電平中的相應(yīng)一個(gè)間切換。每個(gè)所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換部包括多個(gè)N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，每個(gè)所述N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有體端子及柵極端子。每個(gè)所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換部的至少一些所述N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述體端子用于接收多個(gè)具有不同幅值的第二體電壓中的相應(yīng)一個(gè)。所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換部的所述N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)的所述柵極端子用于接收柵極信號(hào)，且每個(gè)所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換部接收到的所述柵極信號(hào)中的至少一些的電壓幅值在多個(gè)不同的第二邏輯高電平中的相應(yīng)一個(gè)與多個(gè)不同的第二邏輯低電平中的相應(yīng)一個(gè)間切換。