[發明專利]電子設備和管理閃存的讀取電平的方法有效
| 申請號: | 202010380600.0 | 申請日: | 2019-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN111581120B | 公開(公告)日: | 2021-08-17 |
| 發明(設計)人: | 張黃鵬;付祥;王頎 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02;G06F13/16 |
| 代理公司: | 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376 | 代理人: | 林錦輝;劉景峰 |
| 地址: | 430223 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子設備 管理 閃存 讀取 電平 方法 | ||
提供了一種包括閃存和閃存控制器的電子設備。閃存控制器耦合到閃存,并用于管理對閃存的數據存取。閃存控制器包括定時器、存儲器和耦合到定時器和存儲器的微控制器。定時器用于產生時鐘中斷。存儲器用于在預定時間段內保持被編程到閃存中的數據的條目列表。在每個時鐘中斷時,微控制器用于寫入被編程到閃存中的數據的條目以更新條目列表。
本申請是申請日為2019年4月30日,名稱為“電子設備和管理閃存的讀取電平的方法”,申請號為201980000771.1的發明專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及半導體存儲器,并且具體涉及管理閃存的讀取電平的電子設備和方法。
背景技術
閃存被廣泛用于移動設備和消費電子產品中的非易失性數據存儲。閃存通過將存儲器單元編程到不同的閾值電壓電平來將數據存儲在存儲器單元的陣列中。在單級單元(SLC,single level cell)閃存中,存儲器單元具有兩個可能的標稱閾值電壓電平,并且在2位多級單元(MLC,multi-level cell)閃存中,存儲器單元具有四個可能的標稱閾值電壓電平。閃存可以采用對應于不同閾值電壓電平的若干讀取電平來從存儲器單元讀取數據。
閃存可以通過浮柵技術或電荷捕獲技術來實現。浮柵閃存可以將電荷存儲在隔離的多晶硅導電層中,并且電荷捕獲閃存可以將電荷保持俘獲在非導電氮化硅絕緣層中。在過去幾年中,由于降低了制造成本并提高了寫入耐久性,電荷捕獲閃存已經越過浮柵閃存得到普及。然而,電荷捕獲閃存存在快速的初始電荷損失問題,其中淺捕獲電荷在編程后幾秒內從閃存單元中逸出,導致電荷隨時間泄漏。因此,使用默認讀取電平可能無法準確讀取閃存單元中的數據,導致漸進的保持損失和讀取性能的逐漸降低。
因此,需要一種具有可靠讀取性能和簡單電路結構的閃存器件。
發明內容
在本發明的一個實施例中,提供了一種包括閃存和閃存控制器的電子設備。閃存控制器耦合到閃存,并用于管理對閃存的數據存取。閃存控制器包括定時器、存儲器和耦合到定時器和存儲器的微控制器。定時器用于產生時鐘中斷。存儲器用于在預定時間段內保持被編程到閃存中的數據的條目列表。在每個時鐘中斷時,微控制器用于寫入被編程到閃存中的數據的條目以更新條目列表。
在本發明的另一個實施例中,公開了一種管理閃存的讀取電平的方法。該方法由包括閃存和與閃存耦合的閃存控制器的電子設備采用。閃存控制器包括定時器、存儲器和微控制器。該方法包括定時器產生時鐘中斷,存儲器在預定的時間段內保持被編程到閃存中的數據的條目列表,并且在每個時鐘中斷時,微控制器寫入被編程到閃存中的數據的條目以更新條目列表。
在閱讀了在各個圖和圖示中示出的優選實施例的以下詳細描述之后,對本領域技術人員來說,本發明的這些和其他目的無疑將變得顯而易見。
附圖說明
結合在此并形成申請文件的部分的附圖示出了本公開的實施例,并且與說明書一起進一步用于解釋本公開的原理并使得相關領域的技術人員能夠實現和使用本公開。
圖1示出了初始保持時段中的存儲器單元組的閾值電壓分布。
圖2示出了在初始保持時段之后的存儲器單元組的閾值電壓分布。
圖3是根據本發明的實施例的電子設備的框圖。
圖4示出了圖3中的電子設備采用的正常讀取操作的時序圖。
圖5示出了圖3中的電子設備采用的最近編程的讀取操作的時序圖。
圖6是并入于圖3中的閃存中的多路復用器的示意圖。
圖7示出了圖3中的最近編程的頁面池的示例性數據結構。
圖8是并入于圖3中的電子設備中的程序順序標簽管理(program order tagmanagement)過程的流程圖。
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