[發(fā)明專(zhuān)利]一種提高砷化鎵光電陰極量子效率的激活方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010358215.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-04-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111584327B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-09-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張益軍;李詩(shī)曼;張鍇珉;舒昭鑫;榮敏敏;錢(qián)蕓生;石峰;程宏昌 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 南京理工大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01J9/12 | 分類(lèi)號(hào): | H01J9/12 |
| 代理公司: | 南京理工大學(xué)專(zhuān)利中心 32203 | 代理人: | 岑丹 |
| 地址: | 210094 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提高 砷化鎵 光電 陰極 量子 效率 激活 方法 | ||
1.一種提高砷化鎵光電陰極量子效率的激活方法,其特征在于,包括銫源激活、氧源激活和氟源激活,激活過(guò)程中用鹵鎢燈白光垂直照射整個(gè)陰極面,具體步驟如下:
步驟1、對(duì)待激活樣品進(jìn)行化學(xué)清洗和高溫凈化;
步驟2、開(kāi)啟銫源,銫源垂直照射待激活樣品,光電流逐漸上升,光電流達(dá)到峰值后下降;
步驟3、當(dāng)光電流下降到第一閾值范圍時(shí),開(kāi)啟氧源,并保持銫源開(kāi)啟狀態(tài),光電流轉(zhuǎn)為上升;
步驟4、當(dāng)光電流再次到達(dá)峰值時(shí)關(guān)閉氧源,光電流先小幅上升然后立刻下降;
步驟5、當(dāng)光電流下降到第一閾值范圍時(shí)打開(kāi)氧源,光電流持續(xù)下降而后轉(zhuǎn)為上升;
步驟6、重復(fù)步驟4和步驟5,直到光電流的峰值電流為第二閾值范圍,待光電流下降到第三閾值范圍時(shí)打開(kāi)氟源,光電流再次轉(zhuǎn)為上升;
步驟7、當(dāng)光電流上升到新的峰值時(shí),先后關(guān)閉氟源和銫源,結(jié)束激活過(guò)程。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高砷化鎵光電陰極量子效率的激活方法,其特征在于,步驟1化學(xué)清洗方法為:依次采用丙酮、甲醇、去離子水超聲清洗樣品,完成去油脂步驟;
將樣品依次放入HF溶液和HCl:IPA混合溶液中化學(xué)刻蝕;
用去離子水將樣品充分沖洗干凈。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高砷化鎵光電陰極量子效率的激活方法,其特征在于,步驟1中高溫凈化步驟為:將化學(xué)清洗后的樣品放入超高真空系統(tǒng)中進(jìn)行15~60分鐘的加熱,加熱溫度為550~650℃,超高真空系統(tǒng)的真空度不低于10-7Pa數(shù)量級(jí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高砷化鎵光電陰極量子效率的激活方法,其特征在于,步驟2、步驟3、步驟4、步驟5、步驟6和步驟7均在超高真空系統(tǒng)中進(jìn)行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高砷化鎵光電陰極量子效率的激活方法,其特征在于,步驟2、步驟3、步驟4、步驟5和步驟6中銫源和氧源均為采用鎳管封裝的固態(tài)源。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高砷化鎵光電陰極量子效率的激活方法,其特征在于,步驟7中氟源為氣態(tài)源,進(jìn)氣方法為:電動(dòng)調(diào)節(jié)可調(diào)節(jié)微量進(jìn)氣閥開(kāi)關(guān)格數(shù),控制進(jìn)入超真空系統(tǒng)NF3進(jìn)氣量。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高砷化鎵光電陰極量子效率的激活方法,其特征在于,第一閾值范圍為峰值電流的50%~90%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高砷化鎵光電陰極量子效率的激活方法,其特征在于,第二閾值范圍為前一個(gè)峰值電流的100~110%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高砷化鎵光電陰極量子效率的激活方法,其特征在于,第三閾值范圍為峰值電流的50%~90%。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于南京理工大學(xué),未經(jīng)南京理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/202010358215.6/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 自組織砷化銦/砷化鎵盤(pán)狀量子點(diǎn)材料的制作方法
- 1.3微米高密度量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)及其制備方法
- 寬光譜砷化銦/砷化銦鎵/砷化鎵量子點(diǎn)材料生長(zhǎng)方法
- 長(zhǎng)波長(zhǎng)砷化銦/砷化鎵量子點(diǎn)材料
- 具有低暗電流特性的諧振腔增強(qiáng)型光電探測(cè)器
- 室溫環(huán)境下激勵(lì)砷化鎵中金屬原子擴(kuò)散的方法
- 一種具有防反射層的砷化鎵太陽(yáng)能電池
- 本征砷化鎵波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的太赫茲波單偏振輸出器
- 砷化鎵基半導(dǎo)體器件的制造方法
- 一種基于砷化鎵襯底的鍺雪崩光電探測(cè)器的制作方法





