本發(fā)明提出了觸控基板、顯示裝置。該觸控基板包括：基板；觸控電極層，該觸控電極層設置在基板的一側(cè)；導電層，該導電層設置在觸控電極層遠離基板的表面。本發(fā)明所提出的觸控基板，其觸控電極層的上表面進一步貼覆有導電層，如此，平整的導電層可以將納米銀線等材料堆疊而成的觸控電極層在搭接處連接起來，從而有利于觸控基板的窄邊框設計，且觸控基板的觸控有效區(qū)面積更大。

技術領域

本發(fā)明涉及觸控面板技術領域，具體的，本發(fā)明涉及觸控基板、顯示裝置。

背景技術

納米銀線(SNW)使用極細的銀絲作為介質(zhì)，與傳統(tǒng)的金屬網(wǎng)(metal mesh)或氧化銦錫(ITO)的解決方案不同，納米銀線是堆疊而成的網(wǎng)狀導電面，可以任意彎曲并承受各尺寸方向的拉伸形變，而具有良好的彎曲性能。所以，優(yōu)異的彎曲性能使得納米銀線可充分發(fā)揮柔性屏的優(yōu)勢，亦是今后的發(fā)展方向。并且，納米銀線直徑極小，同時透過率高，而無傳統(tǒng)方案中存在的消影風險。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是基于發(fā)明人的下列發(fā)現(xiàn)而完成的：

本發(fā)明的發(fā)明人在研究過程中發(fā)現(xiàn)，雖然采用納米銀線作為觸控電極具有上述諸多的優(yōu)點，但是納米銀線不適合窄邊框設計而限制了其大規(guī)模的應用。所以，發(fā)明人通過在觸控電極上進一步貼覆導電層，如此，ITO等導電材料的導電膜在搭接處能將雜亂的銀線線頭連接起來再與信號線進行搭接，從而使搭接寬度減小到0.06mm以下，進而有利于觸控基板的窄邊框設計，并使搭接處阻抗減小且觸控更靈敏。

在本發(fā)明的第一方面，本發(fā)明提出了一種觸控基板。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述觸控基板包括：基板；觸控電極層，所述觸控電極層設置在所述基板的一側(cè)；導電層，所述導電層設置在所述觸控電極層遠離所述基板的表面。

本發(fā)明實施例的觸控基板，其觸控電極層的上表面進一步貼覆有導電層，如此，平整的導電層可以將納米銀線等材料堆疊而成的觸控電極層在搭接處連接起來，從而有利于觸控基板的窄邊框設計，且觸控基板的觸控有效區(qū)面積更大。

另外，根據(jù)本發(fā)明上述實施例的觸控基板，還可以具有如下附加的技術特征：

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述觸控電極層由納米銀線形成，且所述導電層由氧化銦錫形成。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述觸控基板進一步包括：搭接塊，所述搭接塊同時接觸所述觸控電極層的側(cè)面和所述導電層的側(cè)面。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述搭接塊遠離所述基板的表面的寬度不大于60微米。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述導電層在所述基板上的正投影與所述觸控電極層在所述基板上的正投影完全重合。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述觸控電極層包括：多個第一觸控電極和多個第二觸控電極，所述第一觸控電極與所述第二觸控電極交叉設置，且每個所述第一觸控電極包括多個第一子電極和多個第一橋電極，相鄰的兩個所述第一子電極分別與一個所述第一橋電極的兩端電連接，每個所述第二觸控電極包括多個第二子電極和多個第二橋電極，相鄰的兩個所述第二子電極分別與一個所述第二橋電極的兩端電連接，并且，所述第一橋電極與所述第二橋電極也交叉設置。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，多個所述第一子電極和多個所述第二子電極在所述基板上的正投影與所述導電層在所述基板上的正投影完全重合。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述觸控電極層的厚度為10～100微米。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述導電層的厚度為1～10微米。

在本發(fā)明的第二方面，本發(fā)明提出了一種顯示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述顯示裝置包括上述的觸控基板。