[發明專利]一種MEMS結構的測量系統在審
| 申請號： | 202010317016.0 | 申請日： | 2020-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN111405454A | 公開（公告）日： | 2020-07-10 |
| 發明（設計）人： | 劉端 | 申請（專利權）人： | 安徽奧飛聲學科技有限公司 |
| 主分類號： | H04R29/00 | 分類號： | H04R29/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230092 安徽省合肥市高新區習友路333*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mems 結構 測量 系統 | ||
1.一種MEMS結構的測量系統，用于測量待測MEMS結構的靈敏度，其特征在于，包括：
參考MEMS結構，用于接收激勵信號并發生振動；
待測MEMS結構，用于接收所述激勵信號并發生振動；
激光測振儀，用于測量所述參考MEMS結構和所述待測MEMS結構的振膜的振動幅度；
基于所述參考MEMS結構的振動幅度與所述待測MEMS結構的振動幅度的比率，以及所述參考MEMS結構的靈敏度，獲取所述待測MEMS結構的靈敏度。
2.根據權利要求1所述的MEMS結構的測量系統，其特征在于，所述測量系統還包括：
信號發生器，用于生成原始激勵信號；
功率放大器，用于接收并放大所述原始激勵信號并輸出所述激勵信號。
3.根據權利要求1所述的MEMS結構的測量系統，其特征在于，所述參考MEMS結構包括壓電式MEMS麥克風，所述待測MEMS結構與所述參考MEMS結構相同。
4.根據權利要求3所述的MEMS結構的測量系統，其特征在于，所述原始激勵信號為掃頻脈沖串信號，頻率范圍為100Hz至20kHz。
5.根據權利要求4所述的MEMS結構的測量系統，其特征在于，所述原始激勵信號為掃頻脈沖串信號，頻率范圍為100Hz至10kHz。
6.根據權利要求5所述的MEMS結構的測量系統，其特征在于，所述壓電式MEMS麥克風的靈敏度范圍為-70dBV/Pa至-30dBV/Pa。
7.根據權利要求1所述的MEMS結構的測量系統，其特征在于，所述參考MEMS結構的靈敏度通過GB T 9401-1988標準或等同標準測定。
8.根據權利要求1所述的MEMS結構的測量系統，其特征在于，測量所述振膜的所述振動幅度等效于測量所述振膜的位移、速度或加速度。
9.根據權利要求8所述的MEMS結構的測量系統，其特征在于，測量所述振膜的所述振動幅度等效于測量所述振膜的速度。
10.根據權利要求1所述的MEMS結構的測量系統，其特征在于，所述激光測振儀包括面外、單點、顯微多普勒測振儀。
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