[發明專利]一種薄膜器件在審
| 申請號： | 202010215727.7 | 申請日： | 2020-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN111253083A | 公開（公告）日： | 2020-06-09 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 四川猛犸半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/36 | 分類號： | C03C17/36;C03C27/12;B32B17/10 |
| 代理公司： | 廈門市精誠新創知識產權代理有限公司 35218 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 644000 四川省宜賓市臨港經開*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜 器件 | ||
1.一種薄膜器件，包括依次向上層疊的基板、膜層組件、頂層電介質膜層和保護膜層，所述膜層組件包括沿基板向上依次層疊的電介質膜層、銀膜層和犧牲膜層，或所述膜層組件包括沿基板向上依次層疊的電介質膜層、犧牲膜層和銀膜層，其特征在于：所述膜層組件還包括鋅錫氧化物膜層和AgTi膜層，所述鋅錫氧化物膜層和AgTi膜層層疊在犧牲膜層上面；或所述鋅錫氧化物膜層和AgTi膜層層疊在銀膜層與電介質膜層之間；或所述鋅錫氧化物膜層和AgTi膜層層疊在犧牲膜層上面，同時所述鋅錫氧化物膜層和/或AgTi膜層還層疊在銀膜層與電介質膜層之間，所述鋅錫氧化物膜層中Sn的含量≤30wt％，所述AgTi膜層中Ti的含量≥50at％。
2.根據權利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述鋅錫氧化物膜層中Sn的含量≤20wt％；所述AgTi膜層中Ti的含量≥70at％。
3.根據權利要求2所述的薄膜器件，其特征在于：所述鋅錫氧化物膜層中Sn的含量≤15wt％；所述AgTi膜層中Ti的含量≥85at％。
4.根據權利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述鋅錫氧化物膜層的厚度≤15nm；所述AgTi膜層的厚度為0.05-10nm。
5.根據權利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述犧牲膜層的材料為NiCr、Ti、NiCrOx、Cr、NiCrMo、CrOx、MoOx、TiMo、TiMoOx、NiTi、TiOx和NiTiOx中的任意一種或它們的任一組合。
6.根據權利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述犧牲膜層的厚度為0.1-8nm。
7.根據權利要求1-6任意一項所述的薄膜器件，其特征在于：所述膜層組件的數量為兩個，兩個膜層組件依次層疊設置。
8.根據權利要求1-6任意一項所述的薄膜器件，其特征在于：所述膜層組件的數量為三個，三個膜層組件依次層疊設置。
9.根據權利要求1-6任意一項所述的薄膜器件，其特征在于：所述膜層組件的數量為四個，四個膜層組件依次層疊設置。
10.根據權利要求1-6任意一項所述的薄膜器件，其特征在于：該薄膜器件用于制作成夾層薄膜器件或中空薄膜器件。
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