[發(fā)明專利]MALDI質(zhì)譜分析用測(cè)定試樣制備方法及其裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010195797.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111721595A | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 植松克之;鈴木一己 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社理光 |
| 主分類號(hào): | G01N1/28 | 分類號(hào): | G01N1/28;G01N1/42;G01N27/62 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 魏延玲 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | maldi 譜分析 測(cè)定 試樣 制備 方法 及其 裝置 | ||
1.一種MALDI質(zhì)譜分析用測(cè)定試樣制備方法,其特征在于:
基材將基質(zhì)配置在表面,通過將激光束照射所述基材的與配置所述基質(zhì)側(cè)相反側(cè)的所述基材的表面,使得所述基質(zhì)從所述基材飛行,使其配置在MALDI質(zhì)譜分析對(duì)象的試樣的規(guī)定位置。
2.如權(quán)利要求1所述的MALDI質(zhì)譜分析用測(cè)定試樣制備方法,其特征在于:
從所述基材飛行的所述基質(zhì)為二種以上。
3.如權(quán)利要求2所述的MALDI質(zhì)譜分析用測(cè)定試樣制備方法,其特征在于:
使得從所述基材飛行的二種以上的所述基質(zhì)配置在所述MALDI質(zhì)譜分析對(duì)象試樣的互不相同的規(guī)定位置。
4.如權(quán)利要求1~3任一個(gè)所述的MALDI質(zhì)譜分析用測(cè)定試樣制備方法,其特征在于:
配置為相對(duì)所述MALDI質(zhì)譜分析對(duì)象試樣的規(guī)定位置,使得所述基質(zhì)從所述基材多次飛行。
5.如權(quán)利要求1~4任一個(gè)所述的MALDI質(zhì)譜分析用測(cè)定試樣制備方法,其特征在于:
所述激光束為光學(xué)渦旋激光束。
6.如權(quán)利要求1~5任一個(gè)所述的MALDI質(zhì)譜分析用測(cè)定試樣制備方法,其特征在于:
所述激光束的照射直徑為5μm以上、100μm以下。
7.如權(quán)利要求1~6任一個(gè)所述的MALDI質(zhì)譜分析用測(cè)定試樣制備方法,其特征在于:
配置在所述基材表面的所述基質(zhì)為層狀及點(diǎn)狀的至少某個(gè)。
8.一種MALDI質(zhì)譜分析用測(cè)定試樣制備裝置,其特征在于,包括照射機(jī)構(gòu),該照射機(jī)構(gòu)基于權(quán)利要求1~7任一個(gè)所述的MALDI質(zhì)譜分析用測(cè)定試樣制備方法,將激光束照射所述基材表面。
9.一種MALDI質(zhì)譜分析用測(cè)定試樣,其特征在于,包括:
MALDI質(zhì)譜分析對(duì)象的試樣;以及
在所述試樣上配置在規(guī)定位置的二種以上的基質(zhì)。
10.一種MALDI質(zhì)譜分析方法,其特征在于:
使用權(quán)利要求9所述的MALDI質(zhì)譜分析用測(cè)定試樣進(jìn)行MALDI質(zhì)譜分析。
11.一種計(jì)算機(jī)可讀的記錄介質(zhì),其特征在于,其中存儲(chǔ)MALDI質(zhì)譜分析用測(cè)定試樣制備程序,該程序通過處理器執(zhí)行,實(shí)現(xiàn)以下處理:
根據(jù)MALDI質(zhì)譜分析對(duì)象試樣的位置信息,基材將基質(zhì)配置在表面,通過將激光束照射所述基材的與配置所述基質(zhì)側(cè)相反側(cè)的所述基材的表面,使得所述基質(zhì)從所述基材飛行,使其配置在MALDI質(zhì)譜分析對(duì)象的試樣的規(guī)定位置。
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