1.一種晶圓級(jí)封裝瞬態(tài)電壓抑制二極管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

a、選用外延厚度7±0.25um ，電阻率0.0015-0.0156Ω?cm的N型外延片，對(duì)襯底外延片硅片一次清洗；

b、對(duì)襯底硅片進(jìn)行初始氧化工藝：將硅片放入石英舟，然后進(jìn)舟到石英爐管，舟速20±1cm/s，進(jìn)舟結(jié)束蓋好磨口，在750±3℃通入氮?dú)猓糠昼?±1升，30±1分鐘，溫度從750℃升至950℃，溫度保持在950±3℃，停止氮?dú)猓耐ㄑ鯕猓鯕馔ㄈ?0±1分鐘后，改為氧氣、氫氣進(jìn)行氫氧合成，氫氧合成時(shí)間為240±1分鐘，其中氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升，氫氣通入速度為每分鐘6.5±1升，氫氧合成結(jié)束后再通入氧氣20±1分鐘，氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升，然后通入三氯乙烷10±1分鐘，三氯乙烷每分鐘為80±1毫升，再通干氧120±1分鐘，溫度由950℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片；

c、對(duì)完成步驟b的具有氧化層的襯底硅片進(jìn)行一次光刻，其步驟為：

①涂膠：光刻膠粘度為100±1SC，涂膠厚度為28500±2000?；

②前烘：將涂膠后的襯底硅片在85±5℃的烘箱中烘干30±1分鐘；

③對(duì)位：在襯底硅片上設(shè)置掩膜版，將設(shè)置好的掩膜版的襯底硅片在光刻機(jī)的汞燈下曝光22±1秒，使掩膜版圖形成像到襯底硅片表面；

④顯影、定影：先用二甲苯顯影10±1秒，然后用乙酸丁脂來(lái)定影8±1秒；

⑤堅(jiān)膜：將定影后的襯底硅片在140-155℃烘箱中烘干30±1分鐘；

⑥氧化層腐蝕：將堅(jiān)膜的襯底硅片用H₂O：NH₄F為6：1的腐蝕液腐蝕10±1分鐘；

⑦去膠：將氧化層腐蝕后的襯底硅片用H₂SO₄：H₂O₂為3：1浸泡液浸泡 10±1分鐘去除光刻膠；

d、對(duì)完成步驟C的一次光刻的襯底片進(jìn)行磷予擴(kuò)散：將硅片放入石英舟，進(jìn)舟到石英爐管，舟速20±1cm/s，進(jìn)舟結(jié)束，蓋好磨口，在750±3℃通入氮?dú)猓糠昼?±1升，30±1分鐘，溫度從750℃升至970℃，溫度保持在970±3℃，停氮?dú)猓耐ㄑ鯕猓鯕馔ㄈ?±1分鐘后，改為氧氣、磷進(jìn)行磷予擴(kuò)散，磷予擴(kuò)散時(shí)間為30±1分鐘，其中，氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升，磷通入速度為每分鐘6.5±1升，氫氧合成20±1分鐘，氧氣通入速度為每分鐘3.5±1升，然后通入三氯乙烷10±1分鐘，其中三氯乙烷每分鐘為80±1毫升，再通氧10±1分鐘，溫度由970℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片；

e、對(duì)完成步驟d的具有氧化層的襯底硅片進(jìn)行二次光刻，其步驟同步驟c：

f、對(duì)完成步驟e的襯底硅片依次進(jìn)行有源區(qū)B注入，注入劑量1.5E16,注入能量50kev；

g、對(duì)完成步驟f的襯底硅片進(jìn)行退火前清洗：襯底硅片采用清洗液H₂SO₄:H₂O₂:H₂O=1:1:5，在135±5℃清洗10分鐘，用清水沖水10±1分鐘，甩干；

h、對(duì)完成步驟g的襯底硅片進(jìn)行退火，其步驟為：將清洗干凈的襯底硅片放入石英舟，舟速20±1cm/s進(jìn)舟至石英爐管內(nèi)并蓋好磨口，在750±3℃向石英爐管內(nèi)通入氮?dú)?0±1分鐘，氮?dú)馔ㄈ肓?±1L/min，石英爐管溫度由750℃提升至1040℃，保持1040±3℃的石英爐管溫度20±1min，通干氧10分鐘，將石英爐管溫度降至750℃，取下磨口，舟速20±1cm/s出舟取片；

i、對(duì)完成步驟h的襯底硅片進(jìn)行三次光刻，其步驟同步驟c：

j、對(duì)完成步驟i的襯底硅片進(jìn)行正面金屬化：

k、對(duì)完成步驟j的襯底硅片進(jìn)行四次光刻，除光刻膠粘度為150±1SC外，其余同其步驟c；

m、對(duì)襯底硅片進(jìn)行正面金屬腐蝕、正面金屬去膠和正面金屬合金；

n、對(duì)完成正面金屬合金的襯底硅片進(jìn)行電性測(cè)試、鈍化、光刻、鈍化腐蝕、背面減薄、背面去應(yīng)力腐蝕；

O、對(duì)完成背面去應(yīng)力腐蝕的襯底硅片進(jìn)行背面減薄厚度150-300±5um、背面去應(yīng)力腐蝕；

p、對(duì)襯底硅片進(jìn)行背標(biāo)光刻、腐蝕：襯底硅片采用HNO₃：HF：CH₃COOH：H₂O =5：1：3：20的化學(xué)腐蝕液在12-18℃腐蝕10±1min，清洗干凈，甩干；

Q、對(duì)襯底硅片進(jìn)行正面焊盤(pán)金屬化學(xué)鍍Ni、Au。