本發(fā)明提供了一種SONOS器件的制作方法，通過在打開非SONOS區(qū)域之后，首先去除非SONOS區(qū)域ONO層的阻攔氧化層，然后再去除非SONOS區(qū)域ONO層的氮化層，之后再將非SONOS區(qū)域的犧牲氧化層和SONOS區(qū)域的第一阻攔氧化層一并去除，一方面解決當前ONO層刻蝕窗口不足的問題，另一方面優(yōu)化SONOS器件中不同區(qū)域之間的臺階高度差異，提高器件可靠性。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體器件的制作技術領域，尤其涉及一種SONOS器件的制作方法。

背景技術

SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon，硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅，又稱硅氧化氮氧化硅)閃存具有單元尺寸小、存儲保持性好、操作電壓低、與CMOS工藝兼容等特點。現(xiàn)有的SONOS閃存的結構通常包括選擇管(SG，selectgate)和存儲管(CG，controlgate)兩個器件，其存儲管所在的區(qū)域為SONOS區(qū)域(即CG區(qū))，選擇管所在的區(qū)域為非SONOS區(qū)域(即SG區(qū))，其中，SONOS區(qū)域需要ONO(Oxide-Nitride-Oxide，氧化層-氮化層-氧化層)結構，非SONOS區(qū)域不需要ONO結構。而SONOS閃存的ONO刻蝕通常采用干法刻蝕，其具體過程通常是，先將非SONOS區(qū)(即SG區(qū))中的ON層去除，停在底部氧化層上；然后進行氧化層生長預清洗，將非SONOS區(qū)域的氧化層去除干凈；再通過ISSG工藝生長氧化層，即非SONOS區(qū)域上重新生長的氧化層作為柵氧層，SONOS區(qū)域上重新生長的氧化層作為被保留下來的ONO層結構頂部的阻攔氧化層。

然而，隨著半導體器件特征尺寸的進一步減小，ONO的干法刻蝕也隨之出現(xiàn)刻蝕窗口不足的問題，刻蝕窗口的下限會在后期去除非SONOS區(qū)域上的ON層時容易引起SIN刻蝕殘留，進而影響器件功能和可靠性，不適用于量產；同時，因為ONO干法刻蝕的窗口不足，容易造成SG區(qū)和CG區(qū)的臺階問題，且臺階高度越大，在后續(xù)形成金屬硅化物時，更容易產生金屬硅化物的外擴問題。例如，在ONO干法刻蝕后暴露出非SONOS區(qū)域的襯底時，容易產生過刻蝕，該過刻蝕會造成襯底損傷(siliconrecess)的問題，進而在后續(xù)在襯底上形成金屬硅化物時更易出現(xiàn)金屬硅化物外擴的現(xiàn)象，影響器件的功能和可靠性。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種SONOS器件的制作方法，以解決當前ONO刻蝕工藝窗口不足的問題，并優(yōu)化SONOS器件中不同區(qū)域之間的臺階高度，提高器件可靠性。

為了實現(xiàn)上述目的以及其他相關目的，本發(fā)明提供了SONOS器件的制作方法，包括以下步驟：

步驟S1：提供一半導體基底，所述半導體基底定義有SONOS區(qū)域和與所述SONOS區(qū)域連接的非SONOS區(qū)域，所述半導體基底上依次形成有犧牲氧化層和ONO層，所述犧牲氧化層和ONO層覆蓋所述SONOS區(qū)域和非SONOS區(qū)域，所述ONO層包括依次堆疊在所述犧牲氧化層上的隧穿氧化層、氮化層和第一阻攔氧化層；

步驟S2：在所述ONO層上方涂敷光刻膠并顯影打開非SONOS區(qū)域；

步驟S3：去除非SONOS區(qū)域的第一阻攔氧化層；

步驟S4：去除光刻膠，并去除非SONOS區(qū)域的氮化層；

步驟S5：去除非SONOS區(qū)域的犧牲氧化層和SONOS區(qū)域的第一阻攔氧化層；

步驟S6：在所述非SONOS區(qū)域的半導體基底上形成柵氧層，并在所述SONOS區(qū)域的氮化層的上方形成第二阻攔氧化層。

可選的，在所述的SONOS器件的制作方法中，所述形成ONO層的步驟包括：

步驟S11：對所述犧牲氧化層和半導體基底進行預清洗；

步驟S12：在所述預清洗之后的犧牲氧化層上依次進行隧穿氧化層、氮化層和第一阻攔氧化層的沉積，以形成ONO層。