本發明提供一種封裝結構，包括：基板、多個主動元件、多個分離的金屬部以及封裝材料。基板具有第一表面與第二表面。每一主動元件具有第一表面與第二表面。每一金屬部具有第一表面與第二表面。每一主動元件的第一表面連接基板的第一表面。一金屬部的第一表面連接一主動元件的第二表面。每一金屬部延伸連接基板的第一表面。封裝材料覆蓋基板的第一表面，并包圍主動元件與金屬部，露出每一金屬部的第二表面以及基板的第二表面。

技術領域

本發明涉及一種封裝結構，特別是涉及一種雙側散熱的封裝結構。

背景技術

系統級封裝(system in package，SIP)是一種功能性電子系統，其包括兩種或更多的異質半導體晶片(heterogeneous semiconductor dies)(通常來自針對其各自功能進行優化的不同技術節點)，通常包括例如，主動元件、被動元件與驅動集成電路。系統級封裝的物理性樣態是一種模塊，取決于最終應用，于封裝結構中，此種模塊可包括邏輯芯片、記憶芯片、集成被動元件(integrated passive device，IPD)、射頻濾波器、感測器、散熱器、天線、連接器及/或功率芯片。

在傳統的系統級封裝(SIP)中，主動元件通過打線接合工藝與基板的電極連接。朝基板方向的熱傳導受到下方印刷電路板(PCB)上的銅層的厚度與面積的限制。由于金屬導線的散熱路徑較長，且考慮到線數與線距的要求，使得所形成的封裝結構尺寸大，且具有整體電感高，功率損耗大的缺點。

因此，開發一種小型且能提升散熱效果的封裝結構是眾所期待的。

發明內容

根據本發明的一實施例，提供一種封裝結構，包括：一基板、多個主動元件、多個分離的金屬部以及一封裝材料。該基板具有一第一表面與一第二表面，該第二表面相對于該第一表面。每一主動元件具有一第一表面與一第二表面，該第二表面相對于該第一表面。每一金屬部具有一第一表面與一第二表面，該第二表面相對于該第一表面。每一主動元件的該第一表面連接該基板的該第一表面。一金屬部的該第一表面連接一主動元件的該第二表面。每一金屬部延伸連接該基板的該第一表面。該封裝材料覆蓋該基板的該第一表面，并包圍多個所述主動元件與多個所述金屬部，露出每一金屬部的該第二表面以及該基板的該第二表面。

在部分實施例中，該基板包括多重電路層。在部分實施例中，多個所述主動元件包括氮化鎵(GaN)主動元件。在部分實施例中，該金屬部包括銅、鐵或鋁。

在部分實施例中，每一主動元件還包括多個電極，設置于該主動元件的該第一表面。在部分實施例中，該基板還包括多個電極，設置于該基板的該第一表面。在部分實施例中，每一主動元件的所述多個電極分別連接該基板的所述多個電極。

在部分實施例中，該主動元件的該電極包括圓柱或球形。在部分實施例中，該主動元件的該電極包括銅、錫、金、鎳、或金屬復合物。在部分實施例中，每一主動元件的兩個相鄰電極的間距大于或等于70μm。在部分實施例中，該主動元件的該電極的高度大于或等于40μm。在部分實施例中，該主動元件的該電極的直徑大于或等于90μm。

在部分實施例中，每一金屬部包括一主體部分與至少一延伸部分，該至少一延伸部分連接該主體部分。該主體部分設置于該主動元件的該第二表面。該至少一延伸部分連接該基板的該電極。

在部分實施例中，該封裝結構還包括至少一被動元件，設置于該基板的該第一表面，并連接該基板的該電極。在部分實施例中，該封裝結構還包括一驅動集成電路，設置于該基板的該第一表面，并連接該基板的該電極。

在部分實施例中，該封裝結構還包括一金屬襯墊，設置于該基板的該第二表面，并位于對應所述多個主動元件的位置。在部分實施例中，該金屬襯墊包括三個連接端口，用于連接外部電路。在部分實施例中，該金屬襯墊包括錫、鋁、銀、金、或銅。在部分實施例中，該封裝結構通過該金屬襯墊連接一印刷電路板。在部分實施例中，該封裝結構的厚度小于或等于3mm。