4.一種超導量子干涉器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

獲取襯底；

于所述襯底上制備金屬電阻層；

于所述金屬電阻層上制備第一絕緣層，采用曝光顯影結合刻蝕技術在所述絕緣層上制備形成過孔；

于所述第一絕緣層上依次制備第一超導薄膜層、第二絕緣層和第二超導薄膜層，形成約瑟夫森結；采用曝光顯影結合刻蝕技術對所述第二超導薄膜層的第一區域進行刻蝕處理，形成第一約瑟夫森結區；

采用曝光顯影結合刻蝕技術對所述第二超導薄膜層的第二區域進行刻蝕處理，于所述第一區域和所述第二區域的重疊部分形成第二約瑟夫森結區，所述第二約瑟夫森結區為兩次刻蝕重疊的部分；所述第二約瑟夫森結區的尺寸能夠通過調整所述襯底的位置或調整校準片的位置調整為A*A微米,其中A的范圍為0.1-1微米；

采用曝光顯影結合刻蝕技術對所述第二絕緣層進行刻蝕處理；

采用曝光顯影結合刻蝕技術對所述第一超導薄膜層進行刻蝕處理，形成墊圈和引線結構；

于所述第二超導薄膜層上沉積第三絕緣層，采用化學機械拋光工藝對所述第三絕緣層進行處理，引出所述約瑟夫森結的頂電極；

采用刻蝕技術在所述第三絕緣層上制備形成過孔，所述過孔用于連接所述金屬電阻層；

于所述第三絕緣層上沉積第三超導薄膜層，對所述第三超導薄膜層進行刻蝕處理制備形成輸入線圈、反饋線圈、配線層和引線管腳。