[發明專利]背照式圖像傳感器在審
| 申請號： | 202010033298.1 | 申請日： | 2020-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN111435670A | 公開（公告）日： | 2020-07-21 |
| 發明（設計）人： | L·蓋伊;F·拉蘭尼;Y·昂力翁;F·居亞代;P·福特內奧;A·塞納德 | 申請（專利權）人： | 意法半導體（克洛爾2）公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 背照式 圖像傳感器 | ||
1.一種制造圖像傳感器的方法，包括：
形成具有前側和背側的結構，所述結構包括半導體層以及電容性絕緣壁，所述半導體層從所述結構的所述前側延伸到所述結構的所述背側，所述電容性絕緣壁從所述結構的所述前側到所述結構的所述背側延伸穿過所述半導體層，所述電容性絕緣壁包括第一絕緣壁和第二絕緣壁，所述第一絕緣壁和所述第二絕緣壁被導體或半導體材料的區域分離；
從所述結構的所述背側選擇性地刻蝕所述半導體層和所述導體或半導體材料的所述區域的部分，在所述刻蝕之后，所述第一絕緣壁和所述第二絕緣壁中的每個絕緣壁具有向外突出超過所述半導體層的背側和所述導體或半導體材料的所述區域的背側的部分；
在所述結構的所述背側上沉積電介質鈍化層；以及
局部地去除所述電介質鈍化層的部分，所述電介質鈍化層的所述部分在所述第一絕緣壁和所述第二絕緣壁的突出的所述部分的背側上。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述局部地去除所述電介質鈍化層的部分包括：
在所述電介質鈍化層上沉積犧牲層；以及
減薄所述犧牲層以到達所述第一絕緣壁和所述第二絕緣壁的突出的所述部分的所述背側。
3.根據權利要求2所述的方法，其中所述局部地去除所述電介質鈍化層的部分還包括：去除在所述減薄所述犧牲層之后剩余的所述犧牲層的部分。
4.根據權利要求2所述的方法，其中所述犧牲層由氮化硅制成。
5.根據權利要求1所述的方法，還包括：
在所述局部地去除所述電介質鈍化層的部分之后，在所述電介質鈍化層的背側上和在所述第一絕緣壁和所述第二絕緣壁的突出的所述部分的所述背側上沉積抗反射層。
6.根據權利要求1所述的方法，還包括：
在所述電介質鈍化層的背側上沉積抗反射層，以及
局部地去除在所述第一絕緣壁和所述第二絕緣壁的突出的所述部分的所述背側上的所述抗反射層的部分。
7.根據權利要求5所述的方法，其中所述抗反射層包括氧化鉭。
8.根據權利要求1所述的方法，其中所述電介質鈍化層包括具有的電介質常數大于氧化硅、氧化鋁或氧化鉿的電介質常數的電介質材料。
9.根據權利要求1所述的方法，還包括：
在所述形成所述結構之后，并且在所述選擇性地刻蝕所述半導體層和所述導體或半導體材料的所述區域的所述部分之前，氧化所述半導體層的所述背側。
10.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體層由單晶硅制成，所述導體或半導體材料的所述區域由多晶硅或非晶硅制成，并且所述第一絕緣壁和所述第二絕緣壁由氧化硅制成。
11.根據權利要求1所述的方法，其中所述電容性絕緣壁包括第三絕緣壁，所述第三絕緣壁將所述導體或半導體材料的所述區域分離成兩個不同的壁。
12.根據權利要求1所述的方法，其中所述結構還包括互連結構，所述互連結構涂覆所述半導體層的前側。
13.一種圖像傳感器，包括：
半導體層，具有前側和背側；
電容性絕緣壁，從所述半導體層的所述前側延伸到所述半導體層的所述背側，所述電容性絕緣壁包括第一絕緣壁和第二絕緣壁；
導體或半導體材料的區域，在所述第一絕緣壁和所述第二絕緣壁之間延伸，所述第一絕緣壁和所述第二絕緣壁中的每個絕緣壁具有從所述半導體層的所述背側并且從所述導體或半導體材料的所述區域的背側突出的部分；以及
電介質鈍化層，涂覆所述半導體層的所述背側和所述導體或半導體材料的所述區域的所述背側，所述第一絕緣壁和所述第二絕緣壁的所述突出的部分的背側未被所述電介質鈍化層覆蓋。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
