[發明專利]制造磁阻堆疊設備的方法在審
| 申請號： | 201980058674.8 | 申請日： | 2019-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN112655101A | 公開（公告）日： | 2021-04-13 |
| 發明（設計）人： | S·阿加瓦爾;S·德施潘得;K·納蓋爾;S·卡雷 | 申請（專利權）人： | 艾沃思賓技術公司 |
| 主分類號： | H01L43/12 | 分類號： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美國亞*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 磁阻 堆疊 設備 方法 | ||
1.一種制造磁存儲器元件的方法，所述方法包括：
蝕刻通過至少一個層間介電(ILD)層的第一部分，其中所述蝕刻通過至少一個層間介電層的第一部分暴露至少一個金屬層；
經由選擇性原子層沉積在所述至少一個金屬層上方沉積過渡金屬層；以及
在所述過渡金屬層上方形成磁阻設備，其中所述磁阻設備包括：
固定磁性區域；
自由磁性區域；和
部署在所述固定磁性區域和所述自由磁性區域之間的中間區域。
2.如權利要求1所述的方法，還包括：在包含所述至少一個金屬層的基板上形成一個或多個層間介電層。
3.如權利要求1所述的方法，還包括：通過化學機械平面化去除所述過渡金屬層的一部分。
4.如權利要求1所述的方法，還包括：
在所述過渡金屬層上方沉積富鉭層；以及
通過化學機械平面化去除所述富鉭層的一部分。
5.如權利要求4所述的方法，其中所述富鉭層的直徑大于所述過渡金屬層的直徑。
6.如權利要求4所述的方法，其中所述過渡金屬層的至少一部分部署在至少一個蝕刻的層間介電層上方；以及
通過化學機械平面化去除所述富鉭層的一部分包括：去除部署在至少一個蝕刻的層間介電層上方的過渡金屬層的一部分。
7.如權利要求1所述的方法，其中所述磁阻設備包括合成反鐵磁結構。
8.如權利要求1所述的方法，其中所述磁阻設備的直徑大于所述過渡金屬層的直徑。
9.如權利要求2所述的方法，還包括：在形成一個或多個層間介電層之前在所述至少一個金屬層上方沉積封蓋層。
10.一種制造磁存儲器元件的方法，所述方法包括：
蝕刻通過至少一個層間介電(ILD)層的第一部分，其中所述蝕刻暴露至少一個金屬層；
形成通孔，其中形成所述通孔包括：
使用原子層沉積在所述至少一個金屬層上方沉積過渡金屬層；和
在所述過渡金屬層上方沉積富鉭層；以及
在所述通孔上方形成磁阻設備，其中所述磁阻設備包括：
固定磁性區域；
自由磁性區域；以及
部署在所述固定磁性區域和所述自由磁性區域之間的中間區域；
其中所述過渡金屬層的直徑小于所述磁阻設備的直徑。
11.如權利要求10所述的方法，還包括：
在所述至少一個金屬層上方沉積封蓋層；以及
在基板上形成一個或多個層間介電層，其中所述基板包括所述至少一個金屬層和氧化物層。
12.如權利要求10所述的方法，其中所述通孔的縱橫比小于或等于2。
13.如權利要求10所述的方法，其中所述通孔的直徑小于或等于100nm。
14.如權利要求10所述的方法，還包括：去除所述富鉭層的一部分。
15.如權利要求10所述的方法，其中所述過渡金屬層包括鋁(Al)。
16.如權利要求10所述的方法，其中蝕刻通過至少一個層間介電層的第一部分形成具有高度的溝槽，并且所述溝槽的高度大于所述過渡金屬層的厚度。
17.如權利要求11所述的方法，還包括：在沉積所述過渡金屬層之前蝕刻對準標記阱，其中所述對準標記阱的蝕刻暴露所述氧化物層的一部分。
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