[發明專利]錯置消減算法有效
| 申請號： | 201980048598.2 | 申請日： | 2019-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN112470226B | 公開（公告）日： | 2021-12-14 |
| 發明（設計）人： | G·卡列洛;F·羅里 | 申請（專利權）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號： | G11C16/10 | 分類號： | G11C16/10;G11C16/08;G11C16/26;G11C16/34;G11C16/04;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 王龍 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 消減 算法 | ||
1.一種存儲器裝置，其包括：
存儲器陣列，其包含多層級的存儲器單元；
存儲器控制單元，其以操作方式耦合到所述存儲器陣列且被配置成：
使用第一遍次編程操作起始所述存儲器陣列的存儲器單元的編程，其中所述第一遍次編程操作使用第一和第二電壓閾值分布放置編程數據；
在所述存儲器單元的字線上使用第一讀取電壓層級執行經編程存儲器單元的第一讀取操作；
在所述存儲器單元的所述字線上使用第二讀取電壓層級執行相同經編程存儲器單元的第二讀取操作；
使用所述第一讀取操作和第二讀取操作確定具有通過所述編程放置于所述第一和第二電壓閾值分布之間的電壓閾值的所述經編程存儲器單元的數目；和
響應于指定閾值數目與所確定的具有放置于所述第一和第二電壓閾值分布之間的電壓閾值的經編程存儲器單元的數目的關系，控制第二遍次編程操作。
2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器控制單元被配置成：
響應于所確定的經編程存儲器單元的數目超過指定閾值數目，暫停所述存儲器單元的所述第二遍次編程；和
否則就起始第二遍次編程操作。
3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器控制單元被配置成將使用所述第一讀取電壓層級或所述第二讀取電壓層級中的僅一個導通的存儲器單元的數目確定為具有放置于所述第一和第二電壓閾值分布之間的電壓閾值的所述存儲器單元的所述數目。
4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其包含：
第一緩沖器和第二緩沖器；
其中所述存儲器控制單元被配置成：
將使用所述第一讀取電壓層級讀取的第一數據存儲于所述第一緩沖器中；
將使用所述第二讀取電壓層級讀取的第二數據存儲于所述第二緩沖器中；和
將具有所述第一和第二緩沖器中的不匹配第一數據和第二數據的存儲器單元的數目確定為具有放置于所述第一和第二電壓閾值分布之間的電壓閾值的所述存儲器單元的所述數目。
5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器控制單元被配置成：
響應于所確定的經編程存儲器單元的數目超過所述指定閾值數目，將所述編程數據改變為置換數據；和
使用所述置換數據起始第二遍次編程操作。
6.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器控制單元被配置成：
將使用所述第一讀取電壓層級讀取的第一數據傳送到主機應用程序；
響應于所確定的經編程存儲器單元的數目超過所述指定閾值數目，從所述主機應用程序接收置換數據；和
使用所述置換數據起始第二遍次編程操作。
7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中與所述第一遍次編程相比，所述第二遍次編程將更多位編程到所述存儲器單元中。
8.一種對存儲器陣列的多層級的存儲器單元進行編程的方法，所述方法包括：
使用第一遍次編程操作對所述存儲器陣列的存儲器單元進行編程，其中所述第一遍次編程操作使用第一和第二電壓閾值分布放置編程數據；
在經編程存儲器單元的字線上使用第一讀取電壓層級來讀取第一讀取數據；
在經編程存儲器單元的所述字線上使用第二讀取電壓層級來讀取第二讀取數據；
使用從相同的經編程存儲器單元讀取的所述第一讀取數據和第二讀取數據確定具有通過所述編程放置于所述第一和第二電壓閾值分布之間的電壓閾值的經編程存儲器單元的數目；和
響應于指定閾值數目與所確定的具有放置于所述第一和第二電壓閾值分布之間的電壓閾值的經編程存儲器單元的數目的關系，控制第二遍次編程操作。
9.根據權利要求8所述的方法，其中控制所述第二遍次編程操作包含：
響應于所確定的經編程存儲器單元的數目超過指定閾值數目，暫停所述存儲器單元的第二遍次編程；和
否則就執行所述第二遍次編程。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于美光科技公司，未經美光科技公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/201980048598.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：制造貴金屬合金的方法和由此獲得的貴金屬合金
- 下一篇：罐蓋
