8.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

第一絕緣體；

所述第一絕緣體上的第一氧化物；

所述第一氧化物上的第二氧化物；

所述第二氧化物上的第三氧化物及第四氧化物；

所述第三氧化物上的第一導(dǎo)電體；

所述第四氧化物上的第二導(dǎo)電體；

所述第二氧化物上的第五氧化物；

所述第五氧化物上的第二絕緣體；

所述第二絕緣體上的第三導(dǎo)電體；

所述第一導(dǎo)電體及所述第二導(dǎo)電體上的第三絕緣體；以及

所述第三絕緣體上的第四絕緣體，

其中，所述第五氧化物與所述第二氧化物的頂面、所述第一導(dǎo)電體的第一側(cè)面、所述第二導(dǎo)電體的第一側(cè)面、所述第三氧化物的第一側(cè)面、所述第四氧化物的第一側(cè)面以及所述第三絕緣體的側(cè)面接觸，

所述第五氧化物與設(shè)置在所述第四絕緣體中的開口部的側(cè)面接觸，

所述第三導(dǎo)電體以填充所述開口部的方式設(shè)置，

所述第二氧化物包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)以及Zn，

所述第一氧化物及所述第五氧化物各自包含所述第二氧化物所包含的構(gòu)成要素中的至少一個(gè)，

所述第三氧化物及所述第四氧化物各自包含元素M，

并且，所述第三氧化物及所述第四氧化物具有其所述元素M的濃度比所述第二氧化物高的區(qū)域。