本實用新型涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種集成芯片，該集成芯片，包括：晶圓層，晶圓層包括第一單晶硅層、第二單晶硅層以及中間的二氧化硅介質(zhì)層，第一單晶硅層形成有第一芯片；還包括依次形成于第一單晶硅層上的第一介質(zhì)層、第一金屬部，第一金屬部與對應(yīng)的第一芯片的電連接部之間通過過孔電性連接；還包括依次形成于第二單晶硅層上的第二芯片器件層、第二介質(zhì)層、第二金屬部，第二芯片器件層形成第二芯片，第二金屬部與對應(yīng)的第二芯片的電連接部之間通過過孔電性連接；第二金屬部通過過孔與對應(yīng)的第一金屬部電性連接。該集成芯片將相同或不同的多個芯片集成于晶圓的兩側(cè)，簡化了芯片之間的連接且體積小。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種集成芯片。

背景技術(shù)

隨著以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料(即第三代半導(dǎo)體材料)設(shè)備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和GaN基的電力電子器件逐漸成為功率半導(dǎo)體器件的重要發(fā)展方向，已經(jīng)逐步地進入到市場應(yīng)用中，其中以氮化鎵肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrier Diode，SBD)、氮化鎵高電子遷移率晶體管(High Electron MobilityTransistor，HEMT)、碳化硅結(jié)勢壘二極管JBS、碳化硅場效應(yīng)晶體管MOSFET等器件為主，因為第三代半導(dǎo)體功率器件具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、低功率損耗等特點，廣泛地應(yīng)用在電力電子、新能源等領(lǐng)域。

目前智能功率模塊(IPM)所用的功率芯片和器件仍是以硅器件為主，少數(shù)是硅器件混合GaN器件或SiC器件，其模塊的封裝設(shè)計仍是基于傳統(tǒng)硅基器件的結(jié)構(gòu)，將器件通過打線方式進行電路的連接，使得智能功率模塊(IPM)體積大、封裝引線多、不能有效的發(fā)揮第三代半導(dǎo)體功率器件的優(yōu)點。

實用新型內(nèi)容

本實用新型提供了一種集成芯片，上述集成芯片將多個芯片集成于晶圓的兩側(cè)，簡化了芯片之間的連接且體積小。

為達(dá)到上述目的，本實用新型提供以下技術(shù)方案：

一種集成芯片，包括：

晶圓層，所述晶圓層包括第一單晶硅層、第二單晶硅層以及設(shè)置于所述第一單晶硅層和所述第二單晶硅層之間的二氧化硅介質(zhì)層，所述第一單晶硅層包括凹槽區(qū)域，所述凹槽區(qū)域?qū)⑺龅谝粏尉Ч鑼臃指舫芍虚g區(qū)域和邊緣區(qū)域，所述第一單晶硅層位于中間區(qū)域的部位形成有第一芯片；

形成于所述第一單晶硅層背離第二單晶硅層一側(cè)的第一介質(zhì)層；

形成于所述第一介質(zhì)層背離所述第一單晶硅層的第一金屬部，所述第一金屬部與對應(yīng)的所述第一芯片的電連接部之間通過過孔電性連接；

形成于所述第二單晶硅層背離所述第一單晶硅層一側(cè)的第二芯片器件層，所述第二芯片器件層形成第二芯片；

形成于所述第二芯片器件層背離所述第二單晶硅層一側(cè)的第二介質(zhì)層；

形成于所述第二介質(zhì)層背離所述第二芯片器件層一側(cè)的第二金屬部，所述第二金屬部與對應(yīng)的所述第二芯片的電連接部之間通過過孔電性連接；所述第二金屬部通過貫穿所述第二介質(zhì)層、第二芯片器件層、晶圓層、第一介質(zhì)層的過孔與對應(yīng)的所述第一金屬部電性連接。