一種封裝結構的制造方法，包括：提供器件晶圓和晶圓級覆蓋基板，器件晶圓和晶圓級覆蓋基板通過位于兩者之間的鍵合層相結合，器件晶圓包括多個半導體芯片，半導體芯片包括有源區和輸入/輸出電極區，半導體芯片、鍵合層以及晶圓級覆蓋基板在有源區位置處圍成空腔，輸入/輸出電極位于空腔外側，晶圓級覆蓋基板的材料為鈮酸鋰或鉭酸鋰；利用軟刀對相鄰半導體芯片之間的晶圓級覆蓋基板進行切割處理，形成與半導體芯片一一對應的芯片級覆蓋基板，芯片級覆蓋基板側壁與芯片級覆蓋基板背向器件晶圓的表面的夾角呈鈍角；形成互連層，保形覆蓋輸入/輸出電極表面、鍵合層和芯片級覆蓋基板的側壁和芯片級覆蓋基板的部分頂面。本發明提高了封裝結構的良率。

技術領域

本發明實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及一種封裝結構的制造方法。

背景技術

在半導體器件中，部分器件的有源區需要提供空腔環境以保證正常工作，因此，器件制備或封裝過程中，相應需要在器件的有源區形成空氣隙，例如濾波器、MEMS器件等。

以濾波器中的聲表面波(surface acoustic wave，SAW)濾波器為例，SAW濾波器是利用壓電效應和聲表面波傳播的物理特性制成的濾波專用器件。在SAW濾波器中，信號經過電-聲-電的兩次轉換，從而實現選頻特性。SAW濾波器具有工作頻率高、制造工藝簡單、制造成本低、頻率特性一致性高等優點，其應用領域從最開始的軍用雷達發展至今幾乎遍及整個無線電通訊，特別是隨著移動通訊技術的高速發展，更進一步地推動了SAW技術的發展。

在目前SAW濾波器的封裝過程中，至少要用到上蓋，即利用上蓋將SAW濾波器芯片封住，從而在SAW濾波器的有源區形成空氣隙。

發明內容

本發明實施例解決的問題是提供一種封裝結構的制造方法，在降低工藝難度的同時，提高封裝結構的良率。

為解決上述問題，本發明實施例提供一種封裝結構的制造方法，包括：提供器件晶圓和晶圓級覆蓋基板，所述器件晶圓和晶圓級覆蓋基板通過位于兩者之間的鍵合層相結合，所述器件晶圓包括多個半導體芯片，所述半導體芯片包括有源區和輸入/輸出電極區，所述半導體芯片、鍵合層以及晶圓級覆蓋基板在所述有源區的位置處圍成空腔，所述輸入/輸出電極區的輸入/輸出電極位于所述空腔的外側，其中，所述晶圓級覆蓋基板的材料為鈮酸鋰或鉭酸鋰；利用軟刀對相鄰所述半導體芯片之間的所述晶圓級覆蓋基板進行切割處理，形成多個分立的且與所述半導體芯片一一對應的芯片級覆蓋基板，所述芯片級覆蓋基板露出所述輸入/輸出電極區的輸入/輸出電極，且所述芯片級覆蓋基板的側壁與所述芯片級覆蓋基板背向所述器件晶圓的表面的夾角呈鈍角；形成互連層，所述互連層保形覆蓋所述輸入/輸出電極區的輸入/輸出電極、所述鍵合層和芯片級覆蓋基板的側壁、以及所述芯片級覆蓋基板的部分頂面。

本發明實施例還提供一種封裝結構的制造方法，包括：提供器件晶圓和晶圓級覆蓋基板，所述器件晶圓和晶圓級覆蓋基板通過位于兩者之間的鍵合層相結合，所述器件晶圓包括多個半導體芯片，所述半導體芯片包括有源區和輸入/輸出電極區，所述半導體芯片、鍵合層以及晶圓級覆蓋基板在所述有源區的位置處圍成空腔，所述輸入/輸出電極區的輸入/輸出電極位于所述空腔的外側，其中，所述器件晶圓的襯底的材料為鈮酸鋰或鉭酸鋰；利用軟刀對相鄰所述半導體芯片交界處的所述器件晶圓進行切割處理，在所述器件晶圓中形成互連開口，所述互連開口露出相鄰所述半導體芯片的所述輸入/輸出電極區的輸入/輸出電極，且所述互連開口的側壁與所述器件晶圓背向所述晶圓級覆蓋基板的表面的夾角呈鈍角；形成互連層，所述互連層保形覆蓋所述互連開口露出的所述輸入/輸出電極區的輸入/輸出電極的表面、所述互連開口的側壁、以及所述器件晶圓背向所述晶圓級覆蓋基板的部分表面。

與現有技術相比，本發明實施例的技術方案具有以下優點：