本發明提供了一種納米材料，所述納米材料為核殼結構納米材料，包括NiO納米顆粒和包覆在所述NiO納米顆粒表面的PEDOT殼層。本發明實施例提供的納米材料核殼結構納米材料，通過在所述NiO納米顆粒表面包覆PEDOT殼層，PEDOT殼層發揮載體作用，可以阻斷NiO納米顆粒之間的團聚，從而獲得尺寸分布均勻的納米顆粒，并提高NiO/PEDOT核殼納米材料的穩定性。同時，由于PEDOT相對于NiO具有較低的空軌道能級，因此，將NiO和PEDOT復合后，電子從NiO的HOMO能級向PEDOT的空軌道發生數量相對較多的電子轉移，從而形成了較多的自由空穴，提高了納米材料的空穴傳輸性能。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，尤其涉及一種納米材料及其制備方法，以及一種量子點發光二極管及其制備方法。

背景技術

半導體量子點具有量子尺寸效應，人們通過調控量子點的大小來實現所需要的特定波長的發光，如CdSe QDs的發光波長調諧范圍可以從藍光一直到紅光。傳統的無機電致發光器件中，電子和空穴分別從陰極和陽極注入，然后在發光層復合形成激子發光。寬禁帶半導體中導帶電子可以在高電場下加速獲得足夠高的能量撞擊量子點(QDs)使其發光。近年來，無機半導體作為電子傳輸層成為比較熱的研究內容。納米NiO作為一種p型半導體材料，由于具有可調控的帶隙(帶隙為3.6eV-4.0eV，HOMO能級為-5.4eV--5.0eV，LUMO能級為-1.6eV)，因此在紫外光區域、可見光區域以及近紅外光區域具備較高的透光性能，優異的化學穩定性和獨特的光、電、磁性質，使其廣泛應用于電致變色器件、有機發光二極管、氣敏傳感器、染料敏化太陽能電池和p-n異質結。但是，基于納米NiO的空穴傳輸材料，通過溶液法加工成膜時容易發生團聚，且空穴傳輸性能還有進一步上升的空間。

發明內容

本發明的目的在于提供一種納米材料及其制備方法，旨在解決NiO納米材料成膜時容易團聚，且空穴傳輸性能不高的問題。

本發明的另一目的在于提供一種以上述納米材料作為空穴傳輸層材料的量子點發光二極管及其制備方法。

為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案如下：

本發明一方面提供一種納米材料，所述納米材料為核殼結構納米材料，包括NiO納米顆粒和包覆在所述NiO納米顆粒表面的PEDOT殼層。

本發明第二方面提供一種納米材料的制備方法，包括以下步驟：

將氧化鎳和EDOT單體溶于有機溶劑中，制備氧化鎳和EDOT單體的混合溶液；

在所述混合溶液中加入氧化劑，加熱反應，制備在NiO納米顆粒表面包覆PEDOT殼層的納米材料。

本發明第三方面提供量子點發光二極管，包括相對設置的陰極和陽極，在所述陰極和所述陽極之間設置的量子點發光層，以及在所述陽極和所述量子點發光層之間設置的空穴傳輸層，所述空穴傳輸層的材料為核殼結構納米材料，包括NiO納米顆粒和包覆在所述NiO納米顆粒表面的PEDOT殼層。

本發明第四方面提供量子點發光二極管的制備方法，包括以下步驟：

提供基板；

將氧化鎳和EDOT單體溶于有機溶劑中，制備氧化鎳和EDOT單體的混合溶液；在所述混合溶液中加入氧化劑，加熱反應，制備NiO納米顆粒表面包覆PEDOT殼層的納米材料溶液；

在所述基板表面沉積所述納米材料溶液后，進行退火處理，得到空穴傳輸層。