本發明提供了一種納米材料，所述納米材料包括ZnO納米材料和摻雜在ZnO晶格中的摻雜元素，且所述摻雜元素為Er元素和Yb元素。本發明提供的納米材料，通過Er元素和Yb元素的共摻雜，提高了ZnO納米材料的電子傳輸能力，用作量子點發光二極管的電子傳輸層時，能夠促進電子?空穴在量子點發光層中有效地復合，進而降低激子累積對器件性能的影響，提高量子點發光器件的發光效率。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，尤其涉及一種納米材料及其制備方法，以及一種量子點發光二極管及其制備方法。

背景技術

半導體量子點具有量子尺寸效應，人們通過調控量子點的大小來實現所需要的特定波長的發光，如CdSe QDs的發光波長調諧范圍可以從藍光一直到紅光。傳統的無機電致發光器件中，電子和空穴分別從陰極和陽極注入，然后在發光層復合形成激子發光。近年來，無機半導體作為電子傳輸層成為比較熱的研究內容。納米ZnO和ZnS是寬禁帶半導體材料，由于具有量子限域效應、尺寸效應和優越的熒光特性等優點而吸引了眾多研究者的目光。因此，在近十幾年里，ZnO和ZnS納米材料已經在光催化、傳感器、透明電極、熒光探針、二極管、太陽能電池和激光器等領域的研究中顯示出了巨大的發展潛力。

ZnO是一種直接帶隙的n型半導體材料，具有3.37eV的寬禁帶和3.7eV的低功函，這種能帶結構特點決定了ZnO可成為合適的電子傳輸層材料。元素摻雜ZnO可以改變半導體材料的電學、光學等性質，也可以進一步提高納米材料的各種物理性能。對進行元素摻雜，能在一定程度上調節禁帶寬度、導電性并增強透射率?？烧{的禁帶寬度為器件提高性能提供了很好的條件，如量子點光發射二極管，量子點激光二極管等。但是目前，元素摻雜ZnO的來源單一，且大多元素摻雜ZnO通常在成膜工藝中直接制備獲得，合成過程復雜。

發明內容

本發明的目的在于提供一種納米材料及其制備方法，旨在解決摻雜ZnO來源單一，且制備方法復雜的問題。

本發明的另一目的在于提供一種以上述納米材料作為電子傳輸層材料的量子點發光二極管及其制備方法。

為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案如下：

本發明一方面提供一種納米材料，所述納米材料包括ZnO納米材料和摻雜在ZnO晶格中的摻雜元素，且所述摻雜元素為Er元素和Yb元素。

本發明第二方面提供一種納米材料的制備方法，包括以下步驟：

將鋅鹽、鉺鹽和鐿鹽溶于有機溶劑中，制備鋅鹽、鉺鹽和鐿鹽的混合溶液；

在所述混合溶液中加入堿，加熱反應，制備Er元素和Yb元素共摻雜的氧化鋅納米材料，其中，所述堿選自在反應體系中能產生氫氧根離子的有機堿或無機堿。

本發明第三方面提供量子點發光二極管，包括相對設置的陰極和陽極，在所述陰極和所述陽極之間設置的量子點發光層，以及在所述陰極和所述量子點發光層之間設置的電子傳輸層，所述電子傳輸層的材料包括ZnO納米材料和摻雜在ZnO晶格中的摻雜元素，且所述摻雜元素為Er元素和Yb元素。

本發明第四方面提供量子點發光二極管的制備方法，包括以下步驟：

提供基板；

將鋅鹽、鉺鹽和鐿鹽溶于有機溶劑中，制備鋅鹽、鉺鹽和鐿鹽的混合溶液；在所述混合溶液中加入堿，加熱反應，制備前驅體溶液，其中，所述堿選自在反應體系中能產生氫氧根離子的有機堿或無機堿；

在所述基板表面沉積所述前驅體溶液后，進行退火處理，得到電子傳輸層。