[發(fā)明專利]一種清洗刻蝕系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911367094.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111081609A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 劉長(zhǎng)春 |
| 地址: | 710065 陜西省西安市*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 清洗 刻蝕 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種清洗刻蝕系統(tǒng),包括清洗刻蝕液供給裝置、清洗刻蝕槽和溢流裝置,所述清洗刻蝕液供給裝置的出液端連接所述清洗刻蝕槽的入液端,所述溢流裝置的出液端連接所述清洗刻蝕液供給裝置的入液端,其中,所述清洗刻蝕液供給裝置用于將經(jīng)過(guò)加熱且均勻分布有的清洗刻蝕液傳輸至所述清洗刻蝕槽中;所述清洗刻蝕槽用于利用所述清洗刻蝕液供給裝置提供的所述清洗刻蝕液對(duì)待清洗刻蝕原料進(jìn)行刻蝕清洗;所述溢流裝置用于將所述清洗刻蝕槽溢流出的所述清洗刻蝕液傳輸至所述清洗刻蝕液供給裝置中。本發(fā)明所提供的清洗刻蝕系統(tǒng)可以加速刻蝕清洗工藝的進(jìn)程,促進(jìn)刻蝕反應(yīng)的進(jìn)行,達(dá)到提高刻蝕效率和提高清洗效果的目的。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種清洗刻蝕系統(tǒng)。
背景技術(shù)
單晶硅也稱硅單晶,是電子信息材料中最基礎(chǔ)性的材料,屬半導(dǎo)體材料類。單晶硅主要用于制備半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池等。而多晶硅作為半導(dǎo)體行業(yè)單晶硅的基礎(chǔ)材料,具有極高的潔凈度要求。
在單晶硅制備過(guò)程中,需進(jìn)行拉晶處理,而在拉晶過(guò)程中會(huì)有很多晶棒出現(xiàn)單晶結(jié)構(gòu)損失變成多晶的情況,而且在后續(xù)輥磨和截?cái)喙ば驎?huì)偶發(fā)性的發(fā)生因?yàn)闄C(jī)器故障導(dǎo)致的單晶硅晶裂的現(xiàn)象,此時(shí)則需要對(duì)因在拉晶過(guò)程中由于單晶結(jié)構(gòu)損失變成多晶的部分以及晶裂部分的硅材料進(jìn)行回收利用,以降低原材料成本,但是上述材料在運(yùn)輸和多次轉(zhuǎn)運(yùn)之后,會(huì)接觸到很多污染物,其主要包括多晶硅原料表面的金屬顆粒等其它有機(jī)或無(wú)機(jī)污染物,為了保證多晶硅材料的潔凈度,便需要對(duì)其徹底清洗,以便再次重復(fù)利用。
請(qǐng)參見(jiàn)圖1,其是目前較為常見(jiàn)的一種清洗刻蝕裝置,該清洗刻蝕裝置通過(guò)在刻蝕槽側(cè)部通入氣體(例如氮?dú)?,以在酸液中產(chǎn)生氣泡,但是該清洗刻蝕裝置是在側(cè)方進(jìn)氣,從而導(dǎo)致氣泡直徑大,且氣泡在酸液中分布不均勻,另外這種清洗刻蝕裝置不利于促進(jìn)刻蝕反應(yīng),存在整體刻蝕效率低、清洗不干凈的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種清洗刻蝕系統(tǒng)。本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種清洗刻蝕系統(tǒng),包括清洗刻蝕液供給裝置、清洗刻蝕槽和溢流裝置,所述清洗刻蝕液供給裝置的出液端連接所述清洗刻蝕槽的入液端,所述溢流裝置的出液端連接所述清洗刻蝕液供給裝置的入液端,其中,
所述清洗刻蝕液供給裝置用于將經(jīng)過(guò)加熱且均勻分布有氣泡的清洗刻蝕液傳輸至所述清洗刻蝕槽中;
所述清洗刻蝕槽用于利用所述清洗刻蝕液供給裝置提供的所述清洗刻蝕液對(duì)待清洗刻蝕原料進(jìn)行刻蝕清洗;
所述溢流裝置用于將所述清洗刻蝕槽溢流出的所述清洗刻蝕液傳輸至所述清洗刻蝕液供給裝置中。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述清洗刻蝕液供給裝置包括供液裝置、供液泵和氣泡發(fā)生器,所述供液裝置的出液端通過(guò)所述供液泵連接所述氣泡發(fā)生器的入液端,所述氣泡發(fā)生器的出液端連接所述清洗刻蝕槽的入液端,其中,
所述供液裝置用于對(duì)所述清洗刻蝕液進(jìn)行加熱,并將經(jīng)過(guò)加熱的所述清洗刻蝕液通過(guò)供液泵傳輸至所述氣泡發(fā)生器中;
所述氣泡發(fā)生器用于向經(jīng)過(guò)加熱的所述清洗刻蝕液中充入均勻分布的氣泡,并將經(jīng)過(guò)加熱且均勻分布有所述氣泡的所述清洗刻蝕液傳輸至所述清洗刻蝕槽中。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述供液裝置包括熱液供應(yīng)裝置、水浴管和供液槽,所述水浴管設(shè)置在所述供液槽中,所述熱液供應(yīng)裝置的出液端連接所述水浴管的入液端,所述水浴管的出液端連接所述熱液供應(yīng)裝置的入液端,所述供液槽的出液端通過(guò)所述供液泵連接所述氣泡發(fā)生器的入液端,其中,
所述熱液供應(yīng)裝置用于對(duì)液體加熱,并將經(jīng)過(guò)加熱的所述液體傳輸至所述水浴管中;
所述水浴管用于通過(guò)所述水浴管中的液體對(duì)所述供液槽中的所述清洗刻蝕液進(jìn)行加熱,并將所述液體回傳至所述熱液供應(yīng)裝置中;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





