[發明專利]一種硅片表面研磨裝置在審
| 申請號： | 201911199415.5 | 申請日： | 2019-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN110911314A | 公開（公告）日： | 2020-03-24 |
| 發明（設計）人： | 蔣永鋒;易恬安;包曄峰;陳秉巖 | 申請（專利權）人： | 河海大學常州校區 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L31/18;B24B37/04;B24B37/11 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 213022 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅片 表面 研磨 裝置 | ||
1.一種硅片表面研磨裝置，其特征在于：包括等離子體噴槍、伺服電機和激光測距組件；所述伺服電機與等離子體噴槍連接；所述等離子體噴槍包括噴嘴和位于等離子體噴槍內的等離子體噴槍控制系統、等離子體發生器和等離子體通道；所述等離子體噴槍控制系統與等離子體發生器和伺服電機通信連接；所述等離子體發生器依次與等離子通道和噴嘴連接；所述激光測距組件與等離子體噴槍連接；所述噴嘴與等離子體通道的連接處，設置有等離子體通道出口。
2.根據權利要求1所述硅片表面研磨裝置，其特征在于：所述激光測距組件包括激光測距通道，激光發生器和反射光接收器，所述激光測距通道等離子體噴槍內，所述激光發生器和反射光接收器依次與激光測距通道和噴嘴連接，所述噴嘴與激光測距通道的連接處，設置有激光測距通道出口。
3.根據權利要求2所述硅片表面研磨裝置，其特征在于：所述激光測距通道位于等離子體噴槍的中心軸上，所述等離子體通道設置有四個，以等離子體噴槍的中心軸線對稱設置，所述噴嘴與所述等離子體通道的連接處，設置有多個等離子體通道出口，所述等離子體通道出口沿同心圓圓周設置。
4.根據權利要求1所述硅片表面研磨裝置，其特征在于：所述裝置還包括去離子水供給結構和超聲波增強結構，所述去離子水供給結構與超聲波增強結構用于去除硅片表面的雜質。
5.根據權利要求4所述硅片表面研磨裝置，其特征在于：所述去離子水供給結構包括水壓力傳感器和去離子水管；所述水壓力傳感器位于噴嘴上，并與空氣壓力機通信連接；所述去離子水管位于噴嘴與硅片之間，并與空氣壓力機連接。
6.根據權利要求5所述硅片表面研磨裝置，其特征在于：所述超聲增強結構為超聲發生器，所述超聲發生器與去離子水管耦合為一體。
7.根據權利要求1所述硅片表面研磨裝置，其特征在于：所述等離子體噴槍采用硬鋁合金，所述噴嘴采用絕緣陶瓷。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
