本發(fā)明提供了一種產(chǎn)品的關(guān)鍵層的平均相似度的計(jì)算方法產(chǎn)品良率預(yù)測(cè)方法，包括：抽取產(chǎn)品的設(shè)計(jì)版圖中的多個(gè)關(guān)鍵層；對(duì)每個(gè)所述關(guān)鍵層拆分形成多個(gè)第一版圖中心點(diǎn)；對(duì)多個(gè)所述第一版圖中心進(jìn)行聚合運(yùn)算，形成第二版圖中心點(diǎn)；以所述第二版圖中心點(diǎn)為中心截取對(duì)應(yīng)的圖形，形成新的產(chǎn)品圖形庫(kù)；將所述新的產(chǎn)品圖形庫(kù)與歷史產(chǎn)品圖形庫(kù)做對(duì)比，獲取每層關(guān)鍵層相似度；根據(jù)多個(gè)關(guān)鍵層的每層關(guān)鍵層相似度獲取多個(gè)關(guān)鍵層的平均相似度。在本發(fā)明提供的中，通過(guò)對(duì)關(guān)鍵層劃分成多個(gè)子圖形，與歷史產(chǎn)品圖形庫(kù)進(jìn)行相似度運(yùn)算，獲取產(chǎn)品的平均相似度。最后通過(guò)產(chǎn)品良率和平均線相似度的關(guān)系預(yù)測(cè)下次生產(chǎn)中產(chǎn)品的良率，以此預(yù)判斷產(chǎn)品良率能否達(dá)標(biāo)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法及產(chǎn)品良率預(yù)測(cè)方法。

背景技術(shù)

集成電路制造中光刻工藝最為關(guān)鍵，它決定著集成電路制造工藝的先進(jìn)程度。隨著集成電路在向納米級(jí)方向發(fā)展，光刻工藝采用光波的波長(zhǎng)也逐漸從近紫外光(NUV)區(qū)間的436nm、365nm波長(zhǎng)慢慢進(jìn)入到深紫外(DUV)波段區(qū)間的248nm、193nm。現(xiàn)在大部分集成電路制造采用的仍然是248nm和193nm光刻技術(shù)。雖然對(duì)于13nm波長(zhǎng)的(EUV)極遠(yuǎn)紫外光刻技術(shù)的研究已有成果，但現(xiàn)今應(yīng)用于集成電路生產(chǎn)的主流光刻工藝的光波波長(zhǎng)卻一直維持在193nm。在曝光機(jī)臺(tái)波長(zhǎng)不更新的情形下，曝光圖形尺寸的卻不斷縮小，會(huì)產(chǎn)生許多符合設(shè)計(jì)規(guī)則而實(shí)際工藝窗口較差的光刻圖形，光刻工藝差異較小的圖形在制造過(guò)程中會(huì)影響產(chǎn)品良率。由于客戶產(chǎn)品中的版圖設(shè)計(jì)日趨復(fù)雜，如果能充分有效地利用已經(jīng)大批量生產(chǎn)產(chǎn)品版圖與良率數(shù)據(jù)來(lái)預(yù)測(cè)新版圖對(duì)新產(chǎn)品最終良率的影響，這將會(huì)在設(shè)計(jì)過(guò)程中節(jié)約漫長(zhǎng)的DFM驗(yàn)證時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法及產(chǎn)品良率預(yù)測(cè)方法，可以預(yù)測(cè)產(chǎn)品的最低良率。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法，用于計(jì)算當(dāng)前生產(chǎn)的產(chǎn)品的多個(gè)關(guān)鍵層上的圖形與歷史上生產(chǎn)的產(chǎn)品的關(guān)鍵層的圖形的平均相似度，包括：

抽取產(chǎn)品的設(shè)計(jì)版圖中的多個(gè)關(guān)鍵層；

對(duì)每個(gè)所述關(guān)鍵層拆分形成多個(gè)第一版圖中心點(diǎn)；

對(duì)多個(gè)所述第一版圖中心進(jìn)行聚合運(yùn)算，形成第二版圖中心點(diǎn)；

以所述第二版圖中心點(diǎn)為中心截取對(duì)應(yīng)的圖形，形成新的產(chǎn)品圖形庫(kù)；

將所述新的產(chǎn)品圖形庫(kù)與歷史產(chǎn)品圖形庫(kù)做對(duì)比，獲取每層關(guān)鍵層相似度；

根據(jù)多個(gè)關(guān)鍵層的每層關(guān)鍵層相似度獲取多個(gè)關(guān)鍵層的平均相似度。

可選的，在所述的產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法中，所述關(guān)鍵層包括金屬層和接觸孔層，所述接觸孔層包括接觸孔，所述金屬層包括多個(gè)圖形。

可選的，在所述的產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法中，所述對(duì)抽取的接觸孔層拆分形成多個(gè)第一版圖中心點(diǎn)的方法包括：選取接觸孔的中心第一版圖中心點(diǎn)。

可選的，在所述的產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法中，所述對(duì)抽取的關(guān)鍵層拆分形成多個(gè)第一版圖中心點(diǎn)的方法包括：圖形的頂角以及頂角在相鄰圖形的邊上的投射點(diǎn)。

可選的，在所述的產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法中，所述獲取產(chǎn)品相似度的方法包括：所述形成第二版圖中心點(diǎn)的方法包括：以多個(gè)第一版圖中心點(diǎn)，分別劃分第一正方形區(qū)域，若多個(gè)第一正方形區(qū)域有重疊，則以重疊區(qū)域的中心為第二版圖中心點(diǎn)，若沒(méi)有重疊區(qū)域，則將第一版圖中心點(diǎn)作為第二版圖中心點(diǎn)。

可選的，在所述的產(chǎn)品關(guān)鍵層的平均相似度計(jì)算方法中，以第二版圖中心點(diǎn)為中心截取對(duì)應(yīng)的圖形，形成新的產(chǎn)品圖形庫(kù)的方法包括：以所述第二版圖中心點(diǎn)為中心點(diǎn)劃分多個(gè)第二正方形區(qū)域，多個(gè)所述第二正方形區(qū)域內(nèi)的圖形即為劃分出的子圖形，多個(gè)子圖形組成新的產(chǎn)品圖形庫(kù)。