本發明提供一種硒化銀/硒硫化銀核殼量子點、電光調制器及制備方法，以十八烯?硒作為硒前驅體，制備硒化銀量子點，且在硒化銀量子點表面包覆硒硫化銀合金殼，以鈍化硒化銀量子點的表面，減少硒化銀量子點的表面缺陷，構建平緩的界面勢壘，抑制硒化銀量子點的俄歇復合，消除隨機方向的局域電場，且硒化銀/硒硫化銀核殼量子點毒性可忽略，安全可靠；采用全氫聚硅氮烷，在大氣氛圍及室溫下，轉化為硒化銀/硒硫化銀核殼量子點的二氧化硅封裝層，可制備工作波長在近紅外第二窗口隨量子點尺寸連續可調、調制深度大、性能穩定、壽命長、結構簡單且環境友好的電光調制器。

技術領域

本發明屬于光電子器件領域，涉及一種硒化銀/硒硫化銀核殼量子點、電光調制器及制備方法。

背景技術

電光調制器是利用電光效應制成的調制器，當把電壓加到電光晶體上時，電光晶體的折射率或禁帶寬度將發生變化，結果引起通過該晶體的光波特性的變化，實現對光信號的相位、幅度、強度以及偏振狀態的調制，其是光通信系統中的關鍵部件。

量子限域結構在外加電場的作用下，會形成內建電場，進而導致半導體的能帶發生傾斜，電子-空穴對發生空間分離、波函數交疊量減少，從而引起發光峰和吸收邊紅移等現象，稱為量子限制斯塔克效應。利用該效應，通過改變外加電場，可以控制吸收邊的移動，從而調制透射光強度。

基于量子阱結構的量子限制斯塔克效應器件已經成功應用于電光調制器，相較于量子阱，量子點的吸收邊更加陡峭，吸收邊的位置隨量子點尺寸調節的范圍更大。因此，基于量子點的斯塔克效應電光調制器，可擁有更大的調制深度和隨尺寸可調的工作波長。然而，量子點的俄歇復合效率和比表面積都遠高于量子阱，且量子點的俄歇復合和表面缺陷會使量子點的表面或周圍產生帶電載流子，這些帶電載流子會產生隨機方向的局域電場，而這些局域電場會削弱電光調制器的調制深度。

因此，提供一種新型的硒化銀/硒硫化銀核殼量子點、電光調制器及制備方法，實屬必要。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種硒化銀/硒硫化銀核殼量子點、電光調制器及制備方法，用于解決現有技術中，在基于量子點的斯塔克效應電光調制器中，由于量子點的俄歇復合和表面缺陷，所造成的削弱電光調制器的調制深度的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種硒化銀/硒硫化銀核殼量子點，所述硒化銀/硒硫化銀核殼量子點包括：

硒化銀量子點，所述硒化銀量子點作為所述硒化銀/硒硫化銀核殼量子點的核；

硒硫化銀合金殼，所述硒硫化銀合金殼作為所述硒化銀/硒硫化銀核殼量子點的殼，且所述硒硫化銀合金殼包覆所述硒化銀量子點。

可選地，在所述硒硫化銀合金殼中，自所述核向所述殼的方向延伸，硫元素的含量逐漸增加。

本發明還提供一種硒化銀/硒硫化銀核殼量子點的制備方法，包括以下步驟：

制備硒化銀量子點，所述硒化銀量子點作為所述硒化銀/硒硫化銀核殼量子點的核；

基于所述硒化銀量子點，制備硒硫化銀合金殼，所述硒硫化銀合金殼作為所述硒化銀/硒硫化銀核殼量子點的殼，且所述硒硫化銀合金殼包覆所述硒化銀量子點。

可選地，制備所述硒化銀量子點的步驟包括：

將硒粉溶解在十八烯中，制備十八烯-硒；

采用金屬有機制備法，以所述十八烯-硒作為硒前驅體，制備所述硒化銀量子點。

可選地，基于所述硒化銀量子點制備所述硒硫化銀合金殼的步驟包括：

提供所述硒化銀量子點；