本申請案針對于用于數據結構的專用讀取電壓。在實例中，可以專用于第一數據結構的第一讀取電壓讀取所述第一數據結構。可以專用于第二數據結構的第二讀取電壓讀取所述第二數據結構，所述第二數據結構存儲數量比所述第一數據結構大的數據。可響應于在讀取所述第一數據結構時的錯誤數量大于或等于第一閾值數量而以第三讀取電壓讀取所述第一數據結構。可響應于在讀取所述第二數據結構時的錯誤數量大于或等于第二閾值數量而以所述第三讀取電壓讀取所述第二數據結構。所述讀取電壓可基于包含所述第一數據結構及所述第二數據結構的設備的溫度。

技術領域

本發明一般來說涉及例如存儲器的設備及其操作，且更特定來說涉及用于數據結構的專用讀取電壓。

背景技術

可在例如計算機、電話、手持式電子裝置等的電子系統中實施例如存儲系統的存儲器系統。例如固態驅動器(SSD)、嵌入式多媒體控制器(eMMC)裝置、通用快閃存儲(UFS)裝置及類似者的一些存儲系統可包含用于存儲來自主機的主機(例如，用戶)數據的非易失性存儲器。非易失性存儲器通過在不供電時存留所存儲數據而提供永久數據，且可包含NAND快閃存儲器、NOR快閃存儲器、只讀存儲器(ROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)及電阻可變存儲器，例如相變隨機存取存儲器(PCRAM)、三維交叉點存儲器(例如，3D X點)、電阻式隨機存取存儲器(RRAM)、鐵電隨機存儲存儲器(FeRAM)、磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)及可編程導電存儲器以及其它類型的存儲器。

存儲器單元通常布置成陣列架構且可為可編程到對應于一或多個數據單元(例如，位)的若干個不同數據狀態。作為實例，例如一些電阻可變存儲器單元的一些存儲器單元可編程到對應于低閾值電壓(Vt)狀態的低電阻狀態或對應于高Vt狀態的高電阻狀態。在一些實例中，較低電阻狀態中的電阻可變單元可被稱為處于對應于設定Vt分布的設定狀態(例如，編碼為邏輯1)中，且較高電阻狀態中的電阻可變單元可被稱為處于對應于復位Vt分布的復位狀態(例如，編碼為邏輯0)中。

在一些實例中，可在不首先擦除電阻可變存儲器單元的情況下通過對其進行改寫而對其進行重寫。此可被稱為原位寫入。在一些實例中，可在已“清除”新位置之后通過如下方式將電阻可變存儲器單元錯位寫入到所述新位置：將先前處于設定狀態中的所有單元寫入到復位狀態，使得所有單元處于復位狀態中。

可通過以下方式感測(例如，讀取)存儲器單元的狀態：舉例來說，確定所述單元是否響應于將可被稱為讀取電壓或劃界電壓的感測電壓施加到所述單元(例如，跨越所述單元施加所述感測電壓)而改變其電阻狀態(例如，經歷切換事件)。舉例來說，所述感測電壓可經選擇為位于介于復位Vt分布的下邊緣與設定Vt分布的上邊緣之間的Vt范圍(例如，Vt窗)中。

發明內容

在一個方面中，本申請案針對于一種方法，所述方法包括：以專用于設備(100)的第一數據結構(118)的第一讀取電壓且基于所述設備(100)的溫度而讀取所述第一數據結構(118)；以專用于所述設備(100)的第二數據結構(115)且基于所述設備(100)的所述溫度的第二讀取電壓讀取所述第二數據結構(115)，所述第二數據結構(115)存儲數量比所述第一數據結構(118)大的數據；響應于在以所述第一讀取電壓讀取所述第一數據結構(118)時的錯誤數量大于或等于第一閾值數量而以基于所述設備(100)的所述溫度的第三讀取電壓讀取所述第一數據結構(118)；及響應于在以所述第二讀取電壓讀取所述第二數據結構(115)時的錯誤數量大于或等于第二閾值數量而以所述第三讀取電壓讀取所述第二數據結構(115)。