[發明專利]亥姆霍茲共振器及基于其的低頻寬帶吸聲降噪結構在審
| 申請號： | 201911036388.X | 申請日： | 2019-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN111105774A | 公開（公告）日： | 2020-05-05 |
| 發明（設計）人： | 李勇;黃思博;周志凌 | 申請（專利權）人： | 同濟大學 |
| 主分類號： | G10K11/172 | 分類號： | G10K11/172 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王華英 |
| 地址： | 200092 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 亥姆霍茲 共振器 基于 低頻 寬帶 吸聲 結構 | ||
1.一種亥姆霍茲共振器，其特征在于，包括亥姆霍茲共振器本體，所述亥姆霍茲共振器本體內設置有至少一個內嵌管，所述亥姆霍茲共振器本體開口內側面包裹在一個所述內嵌管外側；
其中，所有所述內嵌管之間不接觸。
2.根據權利要求1所述的亥姆霍茲共振器，其特征在于，所述亥姆霍茲共振器本體內還包括用于對所述亥姆霍茲共振器本體內腔進行分割的隔板，每個所述隔板上貫穿設置有一個內嵌管。
3.根據權利要求1所述的亥姆霍茲共振器，其特征在于，所述亥姆霍茲共振器本體開口內側面包裹的所述內嵌管高度大于等于所述亥姆霍茲共振器本體開口厚度。
4.根據權利要求1所述的亥姆霍茲共振器，其特征在于，貫穿設置于所述隔板上的內嵌管高度大于等于所述隔板厚度。
5.一種基于亥姆霍茲共振器的低頻寬帶吸聲降噪結構，其特征在于，包括剛性的框架，所述框架內并列設置有至少兩個如權利要求1-4任意一項所述的亥姆霍茲共振器。
6.根據權利要求5所述的低頻寬帶吸聲降噪結構，其特征在于，所述亥姆霍茲共振器的主要吸聲頻率的吸聲效率在20％-80％之間。
7.根據權利要求6所述的低頻寬帶吸聲降噪結構，其特征在于，所述框架內設置的所有所述亥姆霍茲共振器長度相同。
8.根據權利要求7所述的低頻寬帶吸聲降噪結構，其特征在于，在并列設置的所述亥姆霍茲共振器上方預設距離設置有一層微穿孔板，以實現多個所述亥姆霍茲共振器與所述微穿孔板之間的串聯耦合。
9.根據權利要求8所述的低頻寬帶吸聲降噪結構，其特征在于，還包括設置于并列設置的所述亥姆霍茲共振器上表面和所述微穿孔板下表面的吸聲海綿層。
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