本發明公開了一種用于提高非晶材料無序性的間歇磁控濺射方法，包括如下步驟：將待濺射的基片清洗后，放置在濺射腔體的托盤上；將待濺射靶材打磨清洗后，放置在所述濺射腔體的直流濺射靶位上；將所述濺射腔體抽真空至設定真空度；設置濺射過程中的條件參數；對所述待濺射靶材進行間歇磁控濺射，濺射過程中濺射第一時間，保持濺射環境不變的情況下，停止濺射所述第一時間，再濺射所述第一時間，停止濺射第二時間，然后再濺射所述第一時間，停止濺射第三時間，依次進行濺射，每次停頓的時間依次延長，直到濺射出所需要的薄膜厚度。本發明的間歇磁控濺射方法，在保持薄膜無序度的提升的同時，更加有利于薄膜的非晶性能的形成。

技術領域

本發明屬于磁控濺射技術領域，更具體地，涉及一種用于提高非晶材料無序性的間歇磁控濺射方法。

背景技術

相對于晶體材料，非晶材料具有獨特的原子排列方式，具有短程有序和長期無序的原子排列特點。從而，非晶材料表現出與晶體材料不同且獨特的化學和結構性質，如各向同性、高濃度的不飽和配位活性位點、可廣泛調控的組成成分等特點。因其獨特的化學與結構特點，非晶材料在化工生產、能源轉化、環境整治等領域表現出遠優于相應結晶材料的催化性能，從而受到廣泛關注。

對于非晶材料，材料的無序度對薄膜性能提高有著顯著的作用，傳統的通過摻雜方法來提高材料無序度方法，但是這種方法不僅工藝復雜，而且還容易改變材料本身特性，并且容易增加制備成本。

中國專利CN107043914A公開了一種非晶鈷基磁性薄膜的間歇式直流磁控濺射制備方法，但是其目的在于制備一種非晶鈷基磁性薄膜，并且主要是采用的是梯度升溫的方式來，解決的是低溫時直流磁控濺射升溫較快的問題。

發明內容

針對現有技術的以上缺陷或改進需求，本發明提供一種用于提高非晶材料無序性的間歇磁控濺射方法，使得薄膜濺射的層與層之間產生界面效應和類似異質結構，且依次延長停頓時間，在保持薄膜無序度的提升的同時，更加有利于薄膜的非晶性能的形成。

為實現上述目的，本發明提供一種用于提高非晶材料無序性的間歇磁控濺射方法，包括如下步驟：

將待濺射的基片清洗后，放置在濺射腔體的托盤上；

將待濺射靶材打磨清洗后，放置在所述濺射腔體的直流濺射靶位上；

于設定的真空度、靶基距、靶材濺射功率條件下，在所述濺射腔體中對所述待濺射靶材進行間歇磁控濺射；

濺射過程中保持基片溫度在80℃以下，濺射過程中濺射第一時間，保持濺射環境不變的情況下，停止濺射所述第一時間，再濺射所述第一時間，停止濺射第二時間，然后再濺射所述第一時間，停止濺射第三時間；濺射所述第一時間后，再停止濺射的過程為一個周期，每個周期中停止濺射的時間依次延長，直到濺射出所需要的薄膜厚度；

所述第一時間為4min～6min，所述第二時間為2倍的第一時間，所述第三時間為3倍的第一時間，按此規律依次延長，所述第n時間為n倍的第一時間，n為自然數，且取值與所需要的所述薄膜厚度相關。

進一步地，所述真空度為1×10^-4Pa～4×10^-4Pa。

進一步地，所述靶基距為60mm～120mm。

進一步地，所述靶材濺射功率為20W～80W。

進一步地，所述濺射腔體中充有惰性氣體進行保護。

進一步地，所述惰性氣體為N₂、Ar或He中的一種。

總體而言，通過本發明所構思的以上技術方案與現有技術相比，能夠取得下列有益效果：