[發明專利]基于區域的CMP目標控制有效
| 申請號： | 201910919205.2 | 申請日： | 2019-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN110948375B | 公開（公告）日： | 2022-05-10 |
| 發明（設計）人： | 鐘澤良;涂哲豪;陳科維;劉志文 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/005 | 分類號： | B24B37/005;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 區域 cmp 目標 控制 | ||
1.一種對晶圓進行化學機械拋光（CMP）的方法，包括：
在所述晶圓的表面上標識第一區域和第二區域，所述第一區域具有與所述第二區域的結構特征不同的結構特征；
通過使用第一CMP工藝來拋光所述晶圓，在所述第一區域上實現第一CMP目標厚度，所述第一CMP工藝對于所述第二區域的結構特征是選擇性的；以及
通過使用第二CMP工藝來拋光所述晶圓，在所述第二區域上實現所述第一CMP目標厚度；并且
其中，在使用所述第二CMP工藝拋光所述晶圓之前，所述方法還包括：
從所述第二區域移除具有第一材料的第一結構特征以產生凹陷；并且
用不同于所述第一材料的第二材料填充所述凹陷。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二CMP工藝對所述第一區域中的結構特征是選擇性的。
3.根據權利要求1所述的方法，還包括：通過使用第三CMP工藝拋光所述晶圓，在所述第一區域和所述第二區域上一起實現第二CMP目標厚度。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，使用所述第三CMP工藝拋光所述晶圓是以下一項或多項：具有比所述第一CMP工藝和所述第二CMP工藝低的拋光速率，或磨光拋光。
5.根據權利要求1所述的方法，其中，使用所述第一CMP工藝拋光所述晶圓包括：向所述第一區域的晶圓背面施加比向所述第二區域的晶圓背面更高的推壓力。
6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一區域和所述第二區域基本上彼此同心。
7.根據權利要求1所述的方法，其中，使用所述第一CMP工藝拋光所述晶圓包括磨光拋光。
8.根據權利要求1所述的方法，其中，使用所述第一CMP工藝拋光所述晶圓和使用所述第二CMP工藝拋光所述晶圓在時間上彼此相繼。
9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一區域包括長溝道金屬柵極結構，并且所述第二區域包括短溝道金屬柵極結構。
10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一區域和所述第二區域的金屬與介電比不同。
11.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一區域和所述第二區域的結構特征密度不同。
12.一種對晶圓進行化學機械拋光（CMP）的方法，包括：
在所述晶圓的表面上標識第一特征、第二特征和第三特征，所述第一特征與所述第二特征和所述第三特征不同；
使用第一CMP工藝拋光所述晶圓，直到所述第一特征達到第一CMP目標厚度；
移除所述第三特征以形成凹陷；
在所述凹陷內形成第四特征；并且
使用第二CMP工藝拋光所述晶圓，直到所述第二特征達到所述第一CMP目標厚度。
13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述第一CMP工藝對于所述第二特征是選擇性的，并且所述第二CMP工藝對于所述第一特征是選擇性的。
14.根據權利要求12所述的方法，還包括：通過使用第三CMP工藝拋光所述晶圓，在所述第一特征和所述第二特征上達到第二CMP目標厚度。
15.根據權利要求12所述的方法，其中，使用所述第一CMP工藝拋光所述晶圓包括：向所述第一特征的晶圓背面施加比向所述第二特征的晶圓背面更高的推壓力。
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