6.一種具有快速反向恢復特性的功率半導體器件，包括：漏極金屬，所述漏極金屬上設置第一導電類型硅襯底，所述第一導電類型硅襯底上設置有第一導電類型硅外延層，所述第一導電類型硅外延層內設置溝槽，位于相鄰的所述溝槽之間的所述第一導電類型硅外延層的表面設置有第二導電類型體區，所述第二導電類型體區的表面設置有第一導電類型源區，所述溝槽與所述第一導電類型源區上均設置有絕緣介質層，所述絕緣介質層上設置有源極金屬，所述源極金屬通過通孔與第二導電類型體區以及第一導電類型源區接觸，其特征在于，所述溝槽內設置有場氧層、屏蔽柵和柵極，所述屏蔽柵被所述場氧層包圍，所述柵極位于所述溝槽的頂部，且位于所述屏蔽柵的兩側，與所述溝槽垂直的方向上設置有虛柵，所述虛柵呈平面狀，所述柵極與所述第一導電類型硅外延層之間設置有第一柵氧層，所述虛柵與第一導電類型硅外延層之間設置有第二柵氧層，位于所述虛柵兩端的所述第一導電類型硅外延層的表面設置有第二導電類型體區，所述虛柵的上方及兩側均設置有絕緣介質層，所述源極金屬通過所述絕緣介質層內的通孔與所述虛柵電連接，所述虛柵和所述屏蔽柵均連接源極電位，所述柵極連接柵極驅動電壓。