[發(fā)明專利]磁阻記憶體裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910865927.4 | 申請日： | 2019-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN112103386A | 公開（公告）日： | 2020-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄒亞叡;羅宗祐;劉致為;林劭昱;鍾良佐;王智麟 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/08 | 分類號： | H01L43/08;H01L43/02;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁阻 記憶體 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種磁阻記憶體裝置，其特征在于，包含：
一記憶體堆疊，包含：
一固定層；以及
一參考層，在該固定層上方；
一自旋軌道扭矩(SOT)層，與該記憶體堆疊間隔開；以及
一自由層，在該記憶體堆疊及該SOT層上方。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經(jīng)臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/201910865927.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
