[發(fā)明專利]低磁漏流體磁化器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910859150.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-09-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112191201A | 公開(公告)日: | 2021-01-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 游清河;王永祥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 佳磁綠能股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | B01J19/08 | 分類號(hào): | B01J19/08;B01J19/00 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張琳 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣新竹縣*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 低磁漏 流體 磁化 | ||
1.一種低磁漏流體磁化器,其特征在于,包含:
多數(shù)個(gè)扇形磁塊,其中每一該扇形磁塊包含,
第一徑向邊;
第二徑向邊,相對(duì)于該第一徑向邊設(shè)置;
內(nèi)側(cè)邊,連接于該第一徑向邊以及該第二徑向邊的一端;以及
外側(cè)邊,相對(duì)于該內(nèi)側(cè)邊設(shè)置,并連接該第一徑向邊以及該第二徑向邊的另一端,其中該第二徑向邊連接于相鄰的扇形磁塊的第一徑向邊,以形成環(huán)狀排列的磁塊組,其中,該磁塊組包含由該扇形磁塊的該內(nèi)側(cè)邊所形成的磁塊組內(nèi)緣,以及由該扇形磁塊的該外側(cè)邊所形成的磁塊組外緣,該磁塊組內(nèi)緣構(gòu)成中心穿孔,以供流體管路設(shè)置于其中,以磁化流經(jīng)該流體管路的流體。
2.如權(quán)利要去1所述的低磁漏流體磁化器,其特征在于該外側(cè)邊是為弧線,且該磁塊組外緣為圓形外緣。
3.如權(quán)利要求1所述的低磁漏流體磁化器,其特征在于該外側(cè)邊是為直線,且該磁塊組外緣為多邊形外緣。
4.如權(quán)利要求3所述的低磁漏流體磁化器,其特征在于該多邊形外緣包含六邊形外緣。
5.如權(quán)利要求3所述的低磁漏流體磁化器,其特征在于該多邊形外緣包含八邊形外緣。
6.如權(quán)利要求1所述的低磁漏流體磁化器,其特征在于該內(nèi)側(cè)邊是為弧線,且該磁塊組內(nèi)緣為圓形內(nèi)緣。
7.如權(quán)利要求1所述的低磁漏流體磁化器,其特征在于該內(nèi)側(cè)邊是為直線,且該磁塊組外緣是為多邊形內(nèi)緣。
8.如權(quán)利要求1所述的低磁漏流體磁化器,其特征在于更包含保護(hù)層,包覆該磁塊組,以避免該扇形磁塊接觸該流體。
9.如權(quán)利要求8所述的低磁漏流體磁化器,其特征在于該保護(hù)層是由非導(dǎo)磁性材料所形成。
10.如權(quán)利要求8所述的低磁漏流體磁化器,其特征在于該保護(hù)層是為具有生物兼容性和生物穩(wěn)定性的派瑞林保護(hù)膜。
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