[發(fā)明專利]硫酸鋇隔膜及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910733338.0 | 申請日: | 2019-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN112350028B | 公開(公告)日: | 2023-05-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周素霞;王曉明;劉勇標;黃云;王婷 | 申請(專利權(quán))人: | 寧德卓高新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | H01M50/431 | 分類號: | H01M50/431;H01M50/449;H01M50/451;H01M50/403;H01M10/052;H01M10/0525 |
| 代理公司: | 北京金信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225 | 代理人: | 李維盈 |
| 地址: | 352100 福建省寧德市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硫酸鋇 隔膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種硫酸鋇隔膜,其包括:基膜;在基膜至少一個表面上設置的改性硫酸鋇微層,其中,所述基膜表面和所述改性硫酸鋇微層之間共價相連;
以固體重量份計,改性硫酸鋇微層中各組分占比為:偶聯(lián)劑改性硫酸鋇75~95份;交聯(lián)劑2~20份;分散劑0.1~3份;潤濕劑0.1~5份;
所述偶聯(lián)劑選自鈦酸酯偶聯(lián)劑、鋁酸酯偶聯(lián)劑或其組合,
所述交聯(lián)劑為選自丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯中的一種或多種,
所述分散劑為選自聚丙烯酸鹽、聚乙二醇醚、磷酸鹽類化合物中的一種或多種,
所述潤濕劑為選自聚氧乙烯烷基胺、氟代烷基甲氧基醇醚、烷基萘磺酸鈉、芳基萘磺酸鈉、烷基苯磺酸鈉或烷基硫酸鈉、脂肪醇聚氧乙烯醚中的一種或幾種,
所述偶聯(lián)劑改性硫酸鋇如下制備:
(1)將硫酸鋇、氯化鈉、水、乙醇混合制成硫酸鋇懸浮液;
(2)向硫酸鋇懸浮液中加入偶聯(lián)劑進行反應,再經(jīng)過過濾、水洗、干燥得到偶聯(lián)劑改性硫酸鋇;
所述偶聯(lián)劑為硫酸鋇質(zhì)量的0.1%~5.0%;
所述硫酸鋇隔膜的制備方法包括以下步驟:
1、將偶聯(lián)劑改性硫酸鋇、交聯(lián)劑、潤濕劑、分散劑、水混合均勻得到硫酸鋇漿料,
2、對基膜進行低溫等離子體處理;
3、將硫酸鋇漿料涂布在經(jīng)處理的基膜的至少一個表面上并在50~90℃下反應;
4、干燥得到硫酸鋇隔膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫酸鋇隔膜,其中,所述基膜為聚烯烴膜,和/或,所述基膜的孔徑在0.01~0.1μm范圍內(nèi),和/或,孔隙率在20%至80%之間,和/或,厚度為30μm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硫酸鋇隔膜,其中,所述基膜為聚乙烯或聚丙烯膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硫酸鋇隔膜,其中,所述基膜的孔隙率在30%~50%之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硫酸鋇隔膜,其中,所述基膜的厚度為3~20μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫酸鋇隔膜,其中,以固體重量份計,改性硫酸鋇微層中各組分占比為:偶聯(lián)劑改性硫酸鋇80~92份;交聯(lián)劑5~15份;分散劑0.2~2份;潤濕劑0.1~3份;和/或,所述偶聯(lián)劑改性硫酸鋇的粒徑為5~100nm;和/或,偶聯(lián)劑為硫酸鋇質(zhì)量的0.2%~2.0%;和/或,所述改性硫酸鋇微層的厚度為0.03~0.5μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硫酸鋇隔膜,其中,所述偶聯(lián)劑改性硫酸鋇的粒徑為10~80nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硫酸鋇隔膜,其中,所述改性硫酸鋇微層的厚度為0.05~0.45μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫酸鋇隔膜,其中,
步驟(1)在60~75℃在1000~1500rpm下混合攪拌0.5~2h;和/或硫酸鋇、氯化鈉、DI水和乙醇的重量比為30~80:4~8:30~100:20~80,最終固含量為20wt%~60wt%;和/或
步驟(2)采用高速剪切乳化機進行,和/或所述乳化機轉(zhuǎn)速為8000~15000rpm/min,溫度為60~80℃,剪切乳化時間為20~30min。
10.一種制備權(quán)利要求1~9中任一項所述的硫酸鋇隔膜的方法,包括以下步驟:
1、將偶聯(lián)劑改性硫酸鋇、交聯(lián)劑、潤濕劑、分散劑、水混合均勻得到硫酸鋇漿料,
2、對基膜進行低溫等離子體處理;
3、將硫酸鋇漿料涂布在經(jīng)處理的基膜的至少一個表面上并在50~90℃下反應;
4、干燥得到硫酸鋇隔膜。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于寧德卓高新材料科技有限公司,未經(jīng)寧德卓高新材料科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201910733338.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





