[發明專利]一種具有雙離化室的離子源在審
| 申請號： | 201910688082.6 | 申請日： | 2019-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN110379698A | 公開（公告）日： | 2019-10-25 |
| 發明（設計）人： | 陳張發 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/08 | 分類號： | H01J37/08;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;馬盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離化 等離子體 離子源 吸出 多電荷離子 離子束流 氣體分子 傳輸 | ||
1.一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，包括第一離化室、第一吸極、第二離化室、第二吸極和抑制極；其中第一吸極位于第一離化室和第二離化室中間，第二吸極位于第二離化室和抑制極之間；
所述第一吸極的電壓低于第一離化室的電壓，所述第二離化室的電壓高于第一吸極和第二吸極的電壓，所述抑制極接地；
氣體輸入至第一離化室被離化為初步等離子體，所述初步等離子體被第一吸極吸出并傳輸至第二離化室，所述初步等離子體在第二離化室中被離化為多價等離子體，所述多價等離子體被第二吸極吸出并傳輸至抑制極。
2.根據權利要求1所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述第二離化室的電壓高于所述第一離化室的電壓。
3.根據權利要求1所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述第一離化室包括上極板Ⅰ、下極板Ⅰ和磁場產生器Ⅰ，所述氣體輸入至第一離化室中，與所述上極板Ⅰ和下極板Ⅰ之間的電子碰撞，離化成初步等離子體。
4.根據權利要求3所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述第一離化室中離化電壓為30-200V，離化電流為0.1-20A，磁場產生器Ⅰ產生的磁場電流為0.1-20A。
5.根據權利要求3所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述下極板Ⅰ為燈絲結構。
6.根據權利要求5所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述上極板Ⅰ為燈絲結構或反射極板結構。
7.根據權利要求1所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述第二離化室包括上極板Ⅱ、下極板Ⅱ和磁場產生器Ⅱ，所述初步等離子體與所述上極板Ⅱ和下極板Ⅱ之間的電子碰撞，離化成多價等離子體。
8.根據權利要求7所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述第二離化室中離化電壓為30-200V，離化電流為0.1-20A，磁場產生器Ⅱ產生的磁場電流為0.1-20A。
9.根據權利要求7所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述下極板Ⅱ為燈絲結構。
10.根據權利要求9所述的一種具有雙離化室的離子源，其特征在于，所述上極板Ⅱ為燈絲結構或反射極板結構或相對于下極板為正壓的極板。
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