3.一種外延結構，其特征在于包括：

基板；

成核層，設置于所述基板上，所述成核層于厚度方向上由多個區域組成，所述多個區域的化學組成為Al_(1-x)In_xN，0≤x≤1，其中所述多個區域中的所述x值的最大值沿著所述厚度方向減小，所述多個區域中的所述x值的最小值皆相同，每四個所述區域的化學組成中的所述x值是由四段變化所組成，所述四段變化包括：由最大值漸變至最小值的第一漸變區、由最小值漸變至最大值的第二漸變區、由最大值漸變至最小值的第三漸變區以及由最小值漸變至最大值的第四漸變區，所述第一漸變區、所述第二漸變區以及所述第三漸變區中的所述x值的最大值相同，所述的第四漸變區的所述x值的最大值為所述第一漸變區的所述x值的最大值以步階斜率為-0.1％/回路～-50％/回路減少的值，且每個所述區域的漸變斜率的絕對值為0.1～50％/nm，其中所述回路代表的是具有兩種不同高低含量并且周期性的方式堆疊；

緩沖層，設置于所述成核層上，其中所述成核層的厚度小于所述緩沖層的厚度；以及

氮化物層，設置于所述緩沖層上，其中所述成核層與所述緩沖層接觸的表面的粗糙度大于所述緩沖層與所述氮化物層接觸的表面的粗糙度。