[發明專利]一種硅的提純裝置及方法有效
| 申請號: | 201910366209.2 | 申請日: | 2019-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN109911902B | 公開(公告)日: | 2022-06-24 |
| 發明(設計)人: | 張云虎;申延平;葉春洋;蘇月瑩;常旺;徐智帥;鄭紅星;宋長江;翟啟杰 | 申請(專利權)人: | 上海大學 |
| 主分類號: | C01B33/037 | 分類號: | C01B33/037 |
| 代理公司: | 南京蘇創專利代理事務所(普通合伙) 32273 | 代理人: | 楊勇 |
| 地址: | 200444*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提純 裝置 方法 | ||
1.一種采用硅提純裝置進行硅的提純方法,其特征在于,該方法包括如下步驟:
(1)將含硅合金(8)放入熔煉裝置(5)中,然后通過保溫加熱裝置(3)升溫熔化含硅合金并保溫;
(2)給上下兩個電極(2)和通電線圈(4)通電,拉桿(6)底部的電極(2)通電后,電流通過拉桿(6)流入熔煉裝置(5)含硅合金中,在熔體底部產生一個環流,通電線圈(4)感應出的磁場在含硅合金的中部和上部產生一個方向相同的環流,在整個熔體內部形成強制對流;
(3)將拉桿(6)向下拉動,使含硅合金(8)進入冷卻裝置(7),在冷卻裝置(7)的冷卻作用下,在熔煉裝置(5)底部凝固并逐漸析出高純度的硅;同時拉桿(6)繼續向下拉動,通過電極導入的電流和線圈感應的磁場在熔體中產生的流動將硅元素不斷的運輸到固液界面處不斷析出高純度的硅;當熔煉裝置(5)中含硅合金(8)硅元素含量下降時,向熔煉裝置(5)中直接加入含硅合金或者低純硅,使其溶解在含硅合金熔體中,并在流動作用下不斷在凝固界面處析出高純度的硅,最后將凝固的硅錠進行酸洗,去除金屬元素,留下硅元素,獲得高純硅;
所述硅提純裝置包括測溫裝置(1)、電極(2)、保溫加熱裝置(3)、通電線圈(4)、熔煉裝置(5)、拉桿(6)、冷卻裝置(7),所述電極(2)成對存在,上電極(2)穿過保溫加熱裝置(3)上端,并與含硅合金(8)相連,下電極(2)位于保溫加熱裝置(3)下端,并且與拉桿(6)的下端相連;所述保溫加熱裝置(3)內放置一個或多個熔煉裝置(5);熔煉裝置(5)內放置含硅合金(8);熔煉裝置(5)底部與拉桿(6)貫通相連,在拉桿(6)外部兩側設有冷卻裝置(7),用于使含硅合金(8)定向凝固,并且于熔煉裝置(5)外、保溫加熱裝置(3)內設有帶支架的通電線圈(4),通電線圈(4)將熔煉裝置(5)圍在中間;所述的測溫裝置(1)用來監測保溫加熱裝置(3)內的溫度,置于保溫加熱裝置(3)的上部或下部。
2.根據權利要求1所述的一種采用硅提純裝置進行硅的提純方法,其特征在于,所述保溫加熱裝置(3)外形是圓柱體、長方體、正方體任一種。
3.根據權利要求1或2所述的一種采用硅提純裝置進行硅的提純方法,其特征在于,所述冷卻裝置(7)是一個或多個。
4.根據權利要求1或2所述的一種采用硅提純裝置進行硅的提純方法,其特征在于,電極(2)所述電極是自耗電極、石墨電極、紫銅電極、銅鎢合金電極、鋼電極的任一種。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海大學,未經上海大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201910366209.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種以熊貓糞便為原料制備硅單質的方法
- 下一篇:一種石英砂的提純工藝





