[發明專利]一種四結太陽能電池及其制作方法在審
| 申請號: | 201910361710.X | 申請日: | 2019-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN110085704A | 公開(公告)日: | 2019-08-02 |
| 發明(設計)人: | 李俊承;吳真龍;何勝;邢永祿;郭文輝 | 申請(專利權)人: | 揚州乾照光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/0687 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 225101*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 電池 鍵合處 光電轉換效率 短波光譜 高能粒子 減少材料 歐姆接觸 鍵合層 接觸層 透光性 保證 短波 鍵合 失配 吸收 正向 制備 反射 制作 生長 | ||
1.一種四結太陽能電池的制作方法,其特征在于,包括:
提供一獨立電池及正向生長的GaInP/InGaAs/Ge三結電池,所述獨立電池包括襯底和位于所述襯底上的InGaN電池;
在所述InGaN電池背離所述襯底一側沉積第一ITO接觸層,及在所述GaInP/InGaAs/Ge三結電池的GaInP頂電池一側沉積第二ITO接觸層;
在所述第一ITO接觸層背離所述襯底一側形成第一IZO鍵合層,及在所述第二ITO接觸層背離所述GaInP/InGaAs/Ge三結電池一側形成第二IZO鍵合層;
將所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層鍵合形成IZO鍵合層;
去除所述襯底;
在所述InGaN電池背離所述IZO鍵合層一側形成正面電極結構,及在所述GaInP/InGaAs/Ge三結電池背離所述IZO鍵合層一側形成背面電極結構。
2.根據權利要求1所述的四結太陽能電池的制作方法,其特征在于,在所述第一ITO接觸層背離所述襯底一側形成第一IZO鍵合層,及在所述第二ITO接觸層背離所述GaInP/InGaAs/Ge三結電池一側形成第二IZO鍵合層,包括:
采用溶膠凝膠法,在所述第一ITO接觸層背離所述襯底一側形成第一IZO鍵合層,及在所述第二ITO接觸層背離所述GaInP/InGaAs/Ge三結電池一側形成第二IZO鍵合層。
3.根據權利要求2所述的四結太陽能電池的制作方法,其特征在于,所述溶膠凝膠法包括第一階段和第二階段:
在所述第一階段,旋涂IZO溶膠,轉速為300r/min-600r/min,且持續時間為20s-30s;
在所述第二階段,轉速調整為1500r/min-1800r/min,且持續時間為70s-80s,而后采用150℃-180℃氮氣烘箱或120℃-150℃的熱板進行烘烤10min-15min,使所述IZO溶膠轉換為IZO凝膠后,采用240℃-260℃氮氣烘箱烘烤50min-70min,形成所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層。
4.根據權利要求2所述的四結太陽能電池的制作方法,其特征在于,將所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層鍵合形成IZO鍵合層,包括:
對所述第一IZO鍵合層背離所述InGaN電池一側表面、及對所述第二IZO鍵合層背離所述GaInP/InGaAs/Ge三結電池一側表面進行拋光處理;
對所述第一IZO鍵合層背離所述InGaN電池一側表面、及對所述第二IZO鍵合層背離所述GaInP/InGaAs/Ge三結電池一側表面進行活化處理;
采用直接鍵合技術將所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層鍵合形成IZO鍵合層。
5.根據權利要求4所述的四結太陽能電池的制作方法,其特征在于,采用直接鍵合技術將所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層鍵合形成IZO鍵合層,包括:
在所述活化處理后的2min內將所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層直接貼合;
在鍵合機內將所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層鍵合形成IZO鍵合層。
6.根據權利要求5所述的四結太陽能電池的制作方法,其特征在于,在鍵合機內將所述第一IZO鍵合層和所述第二IZO鍵合層鍵合形成IZO鍵合層,其中,所述鍵合機內工藝參數首先調整壓力為1800kgf-7200kgf,溫度為140℃-160℃,壓合時間為300s-500s;
而后升壓為12500kgf-11500kgf,其中,升壓時間300s,壓合時間1800s,溫度為245℃-255℃;
最后調整壓力為1800kgf-7200kgf,溫度為245℃-255℃,壓合時間600s。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





