本發明提供一種支撐基板的基板支撐單元。一實施例的基板支撐單元包括：支撐板，在上面形成有形成真空壓的多個吸附孔，以吸附基板；真空吸附單元，將真空壓施加至所述吸附孔，所述真空吸附單元包括：壓力測定部件，測定所述吸附孔的內部氣壓；吸氣單元，吸入所述吸附孔內的氣體而排出，能夠調節所述吸附孔內的氣體的吸入力；控制部，控制所述吸氣單元，以根據由所述壓力測定部件測定的壓力而調節所述吸入力。

技術領域

本發明涉及支撐基板的裝置。

背景技術

半導體集成電路一般為非常小且薄的硅片，但由各種電子零件構成，一個半導體芯片在出廠之前經過包括成像工序、蝕刻工序、沉積工序等各種制造工序。

執行該半導體制造工序的裝置在腔體內部的下端部具有卡盤(Chuck)，以用于支撐半導體晶片(Wafer)等基板。卡盤利用機械夾緊、電或真空吸附等而將晶片固定在上部表面。

利用機械夾緊的卡盤利用臂或夾鉗而按壓晶片的支撐表面，從而，固定晶片，利用靜電力的卡盤在晶片與卡盤之間產生靜電吸附力而固定晶片，真空吸附方式的卡盤形成向上面施加真空壓的真空孔，利用在真空孔形成的真空壓而吸附晶片。

并且，晶片的翹曲(Warpage)在晶片被放置在真空吸附方式的卡盤時，在形成有晶片及真空孔的卡盤的上面之間產生分隔，因而難以將晶片固定在卡盤上，在移送時，難以通過移送單元而持握晶片，在進行加熱或冷卻工序時，因產生熱氣或冷氣的構成的區域的距離不同，由此，難以進行均勻的加熱或冷卻。

發明內容

本發明用于提供一種能夠穩定固定發生翹曲的基板的基板支撐單元。

并且，本發明用于提供一種防止及改善基板的翹曲的基板支撐單元。

本發明要解決的技術課題并非限定于此，未言及或其它課題通過下面的記載而使本發明技術領域人員明確理解。

本發明提供一種支撐基板的基板支撐單元。根據一實施例，基板支撐單元包括：支撐板，在上面形成有形成真空壓的多個吸附孔，以吸附基板；真空吸附單元，向所述吸附孔施加真空壓，所述真空吸附單元包括：壓力測定部件，測定所述吸附孔的內部氣壓；吸氣單元，吸入所述吸附孔內的氣體而排出，并能夠調節吸入所述吸附孔內的氣體的吸入力；控制部，控制所述吸氣單元，以使根據由所述壓力測定部件測定的壓力而調節所述吸入力。

所述控制部控制所述吸氣單元，以使在排出所述吸附孔內的氣體而用于吸附基板的狀態下，增加對所述吸附孔中的內部氣壓超過一定值以上的吸附孔的吸入力。

在所述支撐板的上面形成有由所述上面向內側凹蝕的凹槽，所述吸附孔中的一部分或全部設置在所述凹槽的內部。

對于所述凹槽，在俯視時，為長度方向沿著所述支撐板的圓周方向提供的弧狀。

對于所述凹槽，在俯視時，提供為構成所述支撐板的圓周和同心的圓狀。

所述支撐板包括：上部支撐板，在上面形成所述支撐孔及所述凹槽；下部支撐板，提供至所述上部支撐板下面，支撐所述上部支撐板，所述上部支撐板能夠進行更換。

所述上部支撐板包括能夠相互更換的第一上部支撐板及第二上部支撐板，對于所述第一上部支撐板及所述第二上部支撐板，在俯視時，所述凹槽的形狀各不相同。

所述吸附孔包括：第一吸附孔，形成于所述支撐板的中央區域；第二吸附孔，形成于所述支撐板的邊緣區域，所述控制部控制所述吸氣單元，以增加對所述第一吸附孔及所述第二吸附孔中的內部氣壓超過一定值以上的吸附孔的吸入力。

所述吸附孔還包括：第三吸附孔，形成于所述支撐板的中央區域及所述支撐板的邊緣區域的之間區域，所述控制部控制所述吸氣單元，以增加對所述第一吸附孔、所述第二吸附孔及所述第三吸附孔中的內部氣壓超過一定值的吸附孔的吸入力。