[發明專利]半導體元件在審
| 申請號： | 201910313720.6 | 申請日： | 2019-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN110783397A | 公開（公告）日： | 2020-02-11 |
| 發明（設計）人： | 陳敏璋;易圣涵;呂承軒 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/51 | 分類號： | H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11006 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 含鋯氧化物 金屬氧化物層 頂電極 基板 半導體元件 反鐵電 鐵電性 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體元件，其特征在于，包含：
一基板；
一第一含鋯氧化物層，位于一基板上方且具有鐵電性或反鐵電性；
一第一金屬氧化物層，接觸該第一含鋯氧化物層，該第一金屬氧化物層的一厚度小于該第一含鋯氧化物層的一厚度；以及
一頂電極，位于該第一含鋯氧化物層上方。
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