[發明專利]一種極化設備和極化方法在審
| 申請號： | 201910308956.0 | 申請日： | 2019-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN111384231A | 公開（公告）日： | 2020-07-07 |
| 發明（設計）人： | 陸紅衛;王大亮;丁坤寶;埃夫仁;張曉燕;王開安 | 申請（專利權）人： | 奧昱新材料技術（嘉興）有限公司 |
| 主分類號： | H01L41/257 | 分類號： | H01L41/257;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王小衡;胡彬 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉興市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 極化 設備 方法 | ||
1.一種極化設備，用于極化待極化件，其特征在于：所述待極化件包括基底和形成在所述基底上的高分子薄膜，所述極化設備包括準備臺、極化室、轉移臺和承載臺，其中，
所述準備臺用于放置準備進入所述極化室的所述承載臺；
所述承載臺用于放置待極化件；
極化室用于對承載臺上待極化件的所述高分子薄膜進行極化；
轉移臺用于放置完成極化的極化件。
2.根據權利要求1所述的極化設備，其特征在于：
所述承載臺被移動到所述準備臺時，所述待極化件被放置在所述承載臺上；
所述承載臺和所述待極化件被移動到所述極化室內時，所述極化室對所述高分子薄膜進行極化；
極化完成后，所述承載臺和所述待極化件被移動到所述轉移臺后，所述承載臺上的所述極化件被轉移走。
3.根據權利要求1所述的極化設備，其特征在于：所述基底包括基板、接地電極和接地引腳，所述接地引腳位于基板邊緣，所述接地引腳和接地電極設置于所述基板的表面，所述高分子薄膜覆蓋所述接地電極并暴露所述接地引腳，所述接地電極和所述接地引腳電性連接。
4.根據權利要求3所述的極化設備，其特征在于：所述承載臺呈平板狀，所述承載臺上開設有承載槽，所述承載槽的底部還開設至少兩個貫穿所述承載臺厚度方向的頂升孔，所述承載臺上和承載槽相對的表面上還開設接地孔，所述承載臺上還設置有承載電極，至少部分所述承載電極設置在所述接地孔的底部以及承載槽的側面。
5.根據權利要求4述的極化設備，其特征在于：所述準備臺包括第一傳送裝置和第一頂升裝置，所述第一頂升裝置位于所述第一傳送裝置的下方，所述承載臺在第一傳送裝置作用下移動到預設的第一位置后，所述第一頂升裝置升高穿過所述第一傳送裝置和所述頂升孔，外部的第一輸送裝置把所述待極化件放置在所述第一頂升裝置上，所述第一頂升裝置降低使得所述待極化件被放置在所述承載槽內。
6.根據權利要求4所述的極化設備，其特征在于：所述極化室包括極化組件、第二傳送裝置、第二頂升裝置和頂蓋，所述頂蓋包括導電片，所述第二頂升裝置包括接地導線，所述第二頂升裝置位于所述第二傳送裝置的下方，所述極化組件位于第二傳送裝置的上方，所述頂蓋位于所述第二傳送裝置和所述極化組件之間，所述承載臺在第二傳送裝置作用下傳輸到預設的第二位置后，所述第二頂升裝置升高穿過第二傳送裝置并插入頂升孔，使所述承載臺升高并和所述頂蓋接觸，所述頂蓋把所述承載臺上待極化件的接地引腳覆蓋并露出所述待極化件的所述高分子薄膜露出，所述頂蓋的導電片同時和接地引腳、承載槽的側面的承載電極電性接觸，所述第二頂升裝置的接地導線和接地孔的底部的所述承載電極接觸，所述極化組件用于對所述高分子薄膜進行極化。
7.根據權利要求4所述的極化設備，其特征在于：所述轉移臺包括第三傳送裝置和第三頂升裝置，所述第三頂升裝置位于所述第三傳送裝置的下方，所述承載臺在第三傳送裝置作用下傳輸到預設的第三位置后，所述第三頂升裝置機構升高穿過第三傳送裝置和頂升孔，使所述承載臺升高，外部的第二輸送裝置把所述待極化件轉移走。
8.根據權利要求6所述的極化設備，其特征在于：所述極化組件包括多個陣列排布的極化模塊，所述極化模塊包括高壓電場端和低壓電場端，所述低壓電場端位于所述頂蓋和所述高壓電場端之間。
9.一種極化方法，其采用如權利要求1～8任一項所述的極化設備以極化待極化件，其特征在于：所述待極化件包括基底和形成在所述基底上的高分子薄膜，所述極化設備包括準備臺、極化室、轉移臺和承載臺，該極化方法包括：
所述準備臺上放置準備進入所述極化室的所述承載臺；
所述承載臺上放置待極化件；
所述承載臺進入極化室后，所述極化室對所述承載臺上的所述待極化件的所述高分子薄膜進行極化；
極化完成后，所述轉移臺上放置完成極化的極化件。
10.根據權利要求9所述的極化方法，其特征在于：所述極化室包括極化組件、第二傳送裝置、第二頂升裝置和頂蓋，所述頂蓋包括導電片，所述第二頂升裝置包括接地導線，所述第二頂升裝置位于所述第二傳送裝置的下方，所述極化組件位于第二傳送裝置的上方，所述頂蓋位于所述第二傳送裝置和所述極化組件之間，承載臺呈平板狀，所述承載臺上開設有承載槽，所述承載臺上和承載槽相對的表面上開設接地孔，所述承載臺上還設置有承載電極，至少部分所述承載電極設置在所述接地孔的底部以及承載槽的側面，所述承載臺進入極化室后，所述極化室對所述承載臺上的所述待極化件的所述高分子薄膜進行極化包括：
承載臺和極化待極化件進入極化室中預設的第二位置；
第二頂升裝置把承載臺和其上的待極化件升高，使待極化件和頂蓋的導電片接觸電性接觸，頂蓋的導電片和承載臺的承載電極電性接觸，承載電極和第二頂升裝置的接地導線電性接觸；
極化組件給待極化件的高分子薄膜極化。
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